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QM3016AD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,30V,100A,2mΩ@10V
供应商型号: QM3016AD TO-252(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) QM3016AD

QM3016AD概述

    电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    本手册详细介绍了一款P沟道MOSFET(型号为QM3016AD),采用先进的沟槽技术设计,提供了卓越的低导通电阻(RDS(on))及低栅极电荷。这种MOSFET适用于广泛的电子应用,包括电源管理、电机驱动、通信设备等领域。此外,它还提供绿色版本以满足环保要求。

    2. 技术参数


    以下是QM3016AD的关键技术规格:
    | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | - | -30 | - | - | V |
    | ID | TC=25℃ | 0 | - | -100 | A |
    | ID | TC=100℃ | - | - | -65 | A |
    | IDM | - | - | - | -400 | A |
    | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-30A | - | - | 5.3 | mΩ |
    | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-20A | - | - | 8.2 | mΩ |
    | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | -30 | - | - | V |
    | Ciss | - | - | - | 9200 | pF |
    | Coss | - | - | - | 980 | pF |
    | Crss | - | - | - | 750 | pF |
    | td(on) | - | - | - | 13 | ns |
    | tr | - | - | - | 15 | ns |
    | td(off) | - | - | - | 65 | ns |
    | tf | - | - | - | 25 | ns |
    | Qg | - | - | - | 41 | nC |
    | Qgs | - | - | - | 8.2 | nC |
    | Qgd | - | - | - | 11 | nC |
    | VSD | - | - | - | -1.2 | V |
    绝对最大额定值:
    - VDS: -30 V
    - VGS: ±20 V
    - ID: -100 A
    - IDM: -400 A
    - EAS: 225 mJ
    - PD: 103 W
    - TJ, TSTG: -55至+175 ℃
    热特性:
    - RθJC: 1.46 ℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在典型工作条件下,RDS(ON)仅5.3 mΩ,这使得QM3016AD成为高效能应用的理想选择。
    - 先进的沟槽技术:能够提供超低的导通电阻,提高整体效率。
    - 绿色环保:提供绿色版本以符合环保标准。
    - 优良的封装设计:具有良好的热耗散性能,适用于高温环境。

    4. 应用案例和使用建议


    QM3016AD可广泛应用于电源管理、电机驱动和通信设备中。例如,在电动汽车充电桩中,它可以用于电池充电控制,确保高效率和可靠性。使用时建议:
    - 在高温环境下保持散热良好,以避免因过热导致的损坏。
    - 确保驱动电路的设计能够准确控制栅极电压,以获得最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    QM3016AD与大多数标准电路板设计兼容,且制造商提供了详细的技术支持文档和咨询服务。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以联系技术支持获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在长时间运行后温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或风扇以改善热管理。
    - 问题2:开关速度较慢。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,降低栅极电阻,以提高开关速度。
    - 问题3:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查输入电源的稳定性,并确保电路连接无误。

    7. 总结和推荐


    总体来看,QM3016AD是一款高性能、高效能的P沟道MOSFET,具备优秀的导通特性和热管理能力。它的广泛应用范围、绿色特性及优异的技术参数使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效率和可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用QM3016AD。

QM3016AD参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 DPAK,TO-252

QM3016AD厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

QM3016AD数据手册

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QM3016AD封装设计

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