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ZXMN6A11GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,60V,4.5A,76mΩ@10V
供应商型号: ZXMN6A11GTA SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA概述

    ZXMN6A11GTA N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZXMN6A11GTA 是一种高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。它广泛应用于电源转换、高频开关电路及不间断电源(UPS)等领域。这款 MOSFET 的主要功能是提供高效的电力传输和开关控制,具有低导通电阻(RDS(ON))和优秀的热管理特性。

    2. 技术参数


    以下是 ZXMN6A11GTA 的关键技术和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏源电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 5 | - | - | A |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | - | 60 | V |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | - | 26 | 35 | mΩ @ VGS=10V, ID=5A |
    - | 32 | 45 | mΩ @ VGS=4.5V, ID=5A |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 门体泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 前向转导系数 | gFS | - | 11 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 979 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 120 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 100 | - | pF |
    | 开关时间 | td(on) | - | 5.2 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 17 | - | ns |
    | 门电荷 | Qg | - | 22 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在典型条件下,RDS(ON) 仅为 26mΩ (VGS=10V),使得它能够在高电流下保持低功耗。
    - 高密度单元设计:提供超低的导通电阻,适合高密度电路设计。
    - 卓越的散热性能:优秀的封装设计,能够有效散发热量,保证长时间稳定运行。
    - 高雪崩电压能力:适用于高可靠性要求的应用。
    - 优良的静电放电(ESD)防护:通过特殊工艺技术,提供更高的抗静电能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZXMN6A11GTA 主要用于电源开关应用、硬开关和高频电路,如不间断电源(UPS)。例如,在高频逆变器中,它可以有效地降低损耗,提高效率。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在电路设计时考虑使用合适的栅极驱动器和合适的电路布局来减少寄生电感。此外,良好的散热设计也是确保长期稳定运行的关键。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMN6A11GTA 可以与多种标准 PCB 设计兼容,并且与常见的电源管理 IC 和控制器相兼容。
    - 支持:JSMICRO Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻过高。
    - 解决办法:检查电路设计,确保栅极驱动电压满足要求,必要时可增加驱动强度。

    - 问题:过温保护频繁触发。
    - 解决办法:检查散热设计,确保 MOSFET 能够充分散热。

    7. 总结和推荐


    ZXMN6A11GTA 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有出色的低导通电阻和优秀的热管理特性。适用于多种电力转换和控制场合。其卓越的稳定性、低功耗和可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐使用此产品,特别是对于需要高效、可靠电力传输的应用场景。

ZXMN6A11GTA参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-223

ZXMN6A11GTA厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

ZXMN6A11GTA数据手册

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ZXMN6A11GTA封装设计

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