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XP151A13A0MR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: SOT-23
供应商型号: XP151A13A0MR SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) XP151A13A0MR

XP151A13A0MR概述


    产品简介


    XP151A13AOMR 是一款由 JSMICRO Semiconductor 推出的 N 沟道 20V(漏-源电压,D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款 MOSFET 专为便携式设备设计,其紧凑的 SOT-23 封装使其非常适合空间受限的应用场合。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻,能够高效实现负载开关和 DC/DC 转换功能。
    主要功能:
    - 支持便携式设备中的负载开关
    - 广泛应用于 DC/DC 转换电路
    应用领域:
    - 手机和其他便携式电子设备
    - 数码相机及手持设备电源管理
    - 工业控制和嵌入式系统

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏-源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 20 | - | V |
    | 门-源阈值电压 | VGS(th) | 0.5 | 0.8 | 1.0 | V |
    | 门-源漏电流 | IGSS | ±100 | - | ±100 | nA |
    | 漏-源零门电压漏电流 | IDSS | - | 1 | - | μA |
    | 漏-源导通电阻(典型值) | RDS(on) | - | 0.100 | 0.150 | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 0.5 | - | A |
    | 脉冲漏极电流(最大值) | IDM | - | - | 4.0 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 0.5 | - | W |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | - | 250 | - | °C/W |
    | 结温范围 | TJ | -55 | 25 | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:支持高达 20V 的漏-源电压,确保器件在严苛的工作环境下稳定运行。
    2. 低导通电阻:典型值为 0.100Ω @ 4.5V,大幅降低功耗并提高效率。
    3. 紧凑封装:采用 SOT-23 封装,非常适合空间有限的应用场景。
    4. 快速开关性能:优异的开关速度(如图 2 和图 3 所示),适合高频应用。
    5. 高集成度:内部采用了先进的沟槽技术(TrenchFET),进一步提升性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 便携式设备负载开关:例如手机充电器或电池管理系统,能够通过高效的电能传输减少发热和功耗。
    - DC/DC 转换器:在便携式设备中实现稳压输出,提高系统整体性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时需注意最大漏极电流和脉冲漏极电流限制,避免过载损坏。
    - 确保良好的散热措施以延长使用寿命。
    - 使用低阻抗栅极驱动电路以进一步优化开关性能。

    兼容性和支持


    该器件完全符合 RoHS 规范,为无铅产品。它可以通过表面贴装技术轻松集成到 PCB 板上,并提供相应的焊盘布局参考图(见图 SOT-23 Package Outline Dimensions)。厂商 JSMICRO Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利应用此器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查门-源电压是否满足要求,调整驱动电路 |
    | 器件过热 | 增加散热措施或检查电路工作条件 |
    | 开关频率不稳定 | 优化栅极驱动电阻(Rgen),确保波形质量 |

    总结和推荐


    XP151A13AOMR 是一款性能卓越、性价比高的 N 沟道 MOSFET,尤其适合便携式电子设备的负载开关和 DC/DC 转换需求。其低导通电阻、快速开关时间和紧凑封装使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能、低功耗的电源管理场景,这款器件是理想的选择。
    推荐指数:★★★★☆
    适合用于对尺寸、功耗和效率有较高要求的电子产品中。

XP151A13A0MR参数

参数
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 300pF@10V
最大功率耗散 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-23
应用等级 工业级
零件状态 在售

XP151A13A0MR厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

XP151A13A0MR数据手册

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JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 XP151A13A0MR XP151A13A0MR数据手册

XP151A13A0MR封装设计

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