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JSM4435

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: SOP-8
供应商型号: 14M-4435 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM4435

JSM4435概述


    产品简介


    JSM4435 P-Channel MOSFET
    JSM4435 是一款高性能的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术设计。这款MOSFET适用于广泛的工业应用,具有优异的性能和可靠性。

    技术参数


    - 电气特性:
    - VDS (Drain-Source电压): -30V
    - VGS (Gate-Source电压): ±20V
    - ID (连续漏极电流):
    - TC=25℃时: -5.1A
    - TC=100℃时: -5.1A
    - RDS(ON) (导通电阻):
    - VGS=-10V, ID=-8A时: 16.5mΩ至20mΩ
    - VGS=-4.5V, ID=-5A时: 25.6mΩ至32mΩ
    - GFS (正向跨导): 6.8S
    - 动态特性:
    - Ciss (输入电容): 1250pF至1820pF
    - Coss (输出电容): 160pF至235pF
    - Crss (反向传输电容): 90pF至130pF
    - 开关特性:
    - td(on) (开启延迟时间): 5.8ns至11ns
    - tr (上升时间): 18.8ns至36ns
    - td(off) (关闭延迟时间): 46.9ns至89ns
    - tf (下降时间): 12.3ns至23ns
    - Qg (总栅极电荷): 11nC至17nC
    - Qgs (栅极-源极电荷): 3.4nC至6nC
    - Qgd (栅极-漏极电荷): 4.2nC至8nC
    - 绝对最大额定值:
    - Pulsed Drain Current (脉冲漏极电流): 32A
    - EAS (单脉冲雪崩能量): 不详
    - PD (功耗) (TC=25℃): 2.1W
    - TJ, TSTG (工作和存储结温范围): -55°C 至 +150°C
    - 热特性:
    - RθJC (结到外壳热阻): 不详
    - RθJA (结到环境热阻): 60°C/W

    产品特点和优势


    1. 高导通电阻 (RDS(ON)): 在VGS=-10V时,RDS(ON)低至16.5mΩ,非常适合需要低损耗的应用场景。
    2. 低栅极电荷 (Low gate charge): 减少了开关损耗,提高了效率。
    3. 绿色设备: 符合环保标准,便于推广和使用。
    4. 先进高密度沟槽技术: 提供超低导通电阻,适用于各种电路设计。
    5. 优良的封装: 保证良好的散热性能,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:利用其低导通电阻和低栅极电荷特性,在高频开关电源转换器中提供高效能。
    - 马达驱动器:在工业马达驱动器中作为开关元件,能够承受较大的负载电流并提供良好的稳定性。
    - 电池充电器:利用其快速开关特性,提高电池充电效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于该器件在高电流下会产生较高热量,建议使用散热片或其他有效的散热措施。
    - 栅极驱动电路:由于栅极电荷较低,可以选择合适的栅极驱动电路以实现最佳开关速度。

    兼容性和支持


    JSM4435 可与其他标准封装的P沟道MOSFET产品兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用该器件的所有功能。此外,制造商还提供了丰富的技术培训资源和客户支持渠道,帮助用户解决在设计和应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关速度慢,难以达到预期的工作频率。
    - 解决方法: 检查栅极驱动电路的设计,确保其能够提供足够的驱动能力。必要时可以调整栅极电阻值,进一步提升开关速度。
    - 问题2: 工作温度超出规定范围,导致性能下降。
    - 解决方法: 通过合理的散热设计来控制工作温度,确保器件在正常范围内运行。
    - 问题3: 导通电阻不稳定。
    - 解决方法: 检查电路设计,确保栅极电压稳定在规定的范围内。如果需要,可以添加额外的稳压电路。

    总结和推荐


    JSM4435 P-Channel MOSFET凭借其先进的技术和卓越的性能,在多个应用场景中表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷以及优良的封装设计,使其成为电源转换、马达驱动和电池充电等领域不可或缺的组件。对于追求高性能和可靠性的设计项目,JSM4435无疑是一个理想的选择。因此,我们强烈推荐在相关项目中使用JSM4435 P-Channel MOSFET。

JSM4435参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 16.5mΩ@ 10V,8A
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 11nC@ 4.5V
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOP-8

JSM4435厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM4435数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM4435 JSM4435数据手册

JSM4435封装设计

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