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JSM7409B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: DFN2*3-6L
供应商型号: JSM7409B DFN3333-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM7409B

JSM7409B概述

    # JSM7409B Plastic-Encapsulated MOSFET 技术手册

    产品简介


    JSM7409B 是一款采用先进沟槽技术制造的塑料封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及能够在低至4.5V的栅极电压下运行的特点。该产品广泛应用于电池开关、负载开关以及电源管理等领域。

    技术参数


    以下是JSM7409B的主要技术参数和性能指标:
    - 最大耐压: VDS = -30V
    - 连续漏极电流: ID = -25A (TJ = 150℃, TA = 70℃)
    - 最大脉冲漏极电流: IDM = -45A
    - 最大功率耗散: PD = 3.1W
    - 工作温度范围: TJ,TSTG = -55℃ 至 150℃
    - 热阻: RθJA = 40℃/W
    电气特性
    - 断态漏极-源极电压: BVDSS = -30V 至 -33V (VGS=0V, ID=-250μA)
    - 零栅压漏极电流: IDSS ≤ -1μA (VDS=-30V, VGS=0V)
    - 栅体泄漏电流: IGSS ≤ ±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 导通电阻: RDS(ON) < 30mΩ (VGS=-4.5V, ID=-10A) < 17mΩ (VGS=-10V, ID=-10A)
    - 输入电容: CISS ≤ 1600pF
    - 输出电容: COSS ≤ 350pF
    - 反向传输电容: CRSS ≤ 300pF
    动态特性
    - 导通延迟时间: td(on) ≤ 10ns
    - 导通上升时间: tr ≤ 15ns
    - 关断延迟时间: td(off) ≤ 110ns
    - 关断下降时间: tf ≤ 70ns
    - 总栅极电荷: Qg ≤ 30nC
    - 栅源电荷: QGS ≤ 5.5nC
    - 栅漏电荷: QGD ≤ 8nC

    产品特点和优势


    - 高导电性能: 具有极低的导通电阻,适合需要高效能转换的应用场合。
    - 低驱动需求: 能够在低至4.5V的电压下正常工作,降低了对电源的需求。
    - 高可靠性: 可以承受高达45A的脉冲电流,适用于各种苛刻的工作条件。
    - 环保设计: 使用无铅材料制造,符合环保标准。
    - 表面贴装技术: 简化了PCB布局,提高了组装效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池开关: JSM7409B 在电池管理系统中作为开关器件使用,确保电池安全、高效的充放电。
    - 负载开关: 在电源管理和负载切换中,能够快速响应负载变化,保持系统的稳定性。
    - 电源管理: 适用于高性能电源模块的设计,提高能源利用率。
    使用建议
    - 散热设计: 由于其较高的功率损耗(PD=3.1W),在高功率应用中应考虑良好的散热设计,例如使用散热片或散热器。
    - 信号完整性: 注意栅极驱动电路的布局和匹配,避免信号反射和干扰。
    - 并联使用: 当需要更大电流时,可以考虑多只MOSFET并联使用,但需确保均流。

    兼容性和支持


    - 兼容性: JSM7409B 支持表面贴装技术(SMT),适用于标准FR4板材。
    - 技术支持: 厂商提供详细的技术文档和应用指南,客户可通过官网获得相关支持和服务。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何防止过热损坏?
    解决办法:
    - 确保良好的散热设计,如增加散热器。
    - 降低功耗,通过减小电流或优化电路设计来减少热量产生。
    - 使用适当的热管理策略,如热管或风扇。
    问题二:如何避免信号完整性问题?
    解决办法:
    - 设计合理的布线路径,缩短信号走线长度。
    - 选择合适的驱动电阻和滤波电容,改善信号质量。
    - 使用高速数字示波器检查信号波形,及时调整。

    总结和推荐


    JSM7409B 塑料封装MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,在多种应用中表现出色。尤其在电池开关、负载开关和电源管理方面,它为工程师提供了高效、可靠的解决方案。虽然在高功率应用中需要注意散热设计,但其卓越的性能和广泛的适用性使其成为一种值得推荐的产品。
    如果你需要一款高效、可靠且易于集成的MOSFET器件,JSM7409B 将是一个不错的选择。

JSM7409B参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
FET类型 -
通用封装 DFN-2030-6L

JSM7409B厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM7409B数据手册

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JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM7409B JSM7409B数据手册

JSM7409B封装设计

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