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NTF3055L108T1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,60V,4.5A,76mΩ@10V
供应商型号: NTF3055L108T1G SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) NTF3055L108T1G

NTF3055L108T1G概述

    # NTF3055L108T1G N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    NTF3055L108T1G是一款由JSMICRO Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这款MOSFET广泛应用于电源开关、硬切换及高频电路以及不间断电源系统等领域。

    技术参数


    以下是NTF3055L108T1G的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏极连续电流 | ID 5 | A |
    | 漏极连续电流 (TC=100℃) | ID(100℃) 3.5 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 24 | A |
    | 最大耗散功率 | PD 2 | W |
    | 关断状态参数
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 60 V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS 1 | µA |
    | 栅体漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 开启状态参数
    | 栅阈电压 | VGS(th)| 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
    | 导通电阻(VGS=10V, ID=5A)| RDS(ON) 26 | 35 | mΩ |
    | 导通电阻(VGS=4.5V, ID=5A)| RDS(ON) 32 | 45 | mΩ |
    | 动态参数
    | 输入电容 | CISS | 979 pF |
    | 输出电容 | COSS | 120 pF |
    | 反向转移电容 | CRSS 100 pF |

    产品特点和优势


    NTF3055L108T1G具有以下独特功能和优势:
    1. 高密度单元设计:提供超低导通电阻(RDS(ON)),适用于要求严格的高密度电路设计。
    2. 出色的热阻性能:低至62.5℃/W的热阻(RθJA),确保良好的散热效果。
    3. 高可靠性:完全特征化雪崩电压和电流,确保稳定的性能。
    4. 高ESD防护能力:采用特殊工艺技术,提升抗静电放电能力。
    5. 宽工作温度范围:从-55℃到150℃的工作温度范围,确保在各种环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    NTF3055L108T1G广泛应用于多种电路中,例如:
    - 电源开关应用:由于其低导通电阻和快速开关速度,适合用于直流转换器和其他开关模式电源设备。
    - 硬切换和高频电路:适用于硬切换和高频逆变器。
    - 不间断电源:确保电力供应的连续性和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择MOSFET时,需要考虑具体应用中的工作条件,如电压、电流和工作频率等。
    - 为了优化性能和延长使用寿命,建议在安装时充分考虑散热设计,特别是对于大电流和高频应用。

    兼容性和支持


    NTF3055L108T1G与多种常见的电路板和模块兼容,且JSMICRO Semiconductor提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册、在线技术支持以及专业的工程咨询服务。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的问题及其解决方法:
    1. 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,是否需要添加散热片或热管。同时,确认工作电压和电流是否超过额定值。
    2. 问题:MOSFET开启时间过长
    - 解决方案:检查驱动电路,确认栅极电阻(RG)是否合适。适当减小RG可以缩短开启时间。
    3. 问题:MOSFET关断时间过长
    - 解决方案:检查驱动电路,确保栅极电容(CG)和栅极电阻(RG)的匹配性。必要时调整栅极电阻以改善关断速度。

    总结和推荐


    NTF3055L108T1G是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,具有出色的低导通电阻、优异的热管理和高可靠性等特点。其广泛的应用领域和灵活的使用方式使其在市场上具备很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效、可靠且高集成度的电源转换应用中使用该产品。
    如果您对NTF3055L108T1G有任何疑问或需要进一步的支持,请联系JSMICRO Semiconductor的技术支持团队。

NTF3055L108T1G参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 2W
Rds(On)-漏源导通电阻 633pF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 530pF
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 3A
栅极电荷 17nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通用封装 SOT-223
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTF3055L108T1G厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

NTF3055L108T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 NTF3055L108T1G NTF3055L108T1G数据手册

NTF3055L108T1G封装设计

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