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JSM2301SL

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: SOT-23-3L ID=-2.5A,VDS=-20V
供应商型号: 14M-SI2301 SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
JSMICRO/深圳杰盛微 三极管(BJT) JSM2301SL

JSM2301SL概述

    # JSM2301SL P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    JSM2301SL 是一款由 JSMICRO Semiconductor 生产的 P-通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement-Mode MOSFET)。其主要功能是作为开关器件,适用于各种电子设备中的电源管理、负载开关和其他功率控制应用。特别适合于笔记本电脑、手持仪器、开关设备等领域的应用。本产品具有低栅极电荷、快速开关速度和改进的 dv/dt 能力,可广泛应用于多种高效率的应用场景中。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): -20V
    - 栅源电压 (VGS): ±10V
    - 漏极电流 (ID): -2.6A @ TC=25°C; -3.3A @ TC=25°C, t≤5s; -1.56A @ TC=70°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -10.4A
    - 功率耗散 (TC=25°C): 1.56W
    - 储存温度范围 (TSTG): -55°C ~ +150°C
    - 工作结温范围 (TJ): -55°C ~ +150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 100°C/W
    - 电气特性:
    - 断态漏源击穿电压 (BVDSS): -20V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -1μA
    - 栅体漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 门限电压 (VGS(th)): -0.3V ~ -1.0V
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - @VGS=-4.5V, ID=-3.0A: 69mΩ (Typ.)
    - @VGS=-2.5V, ID=-2.0A: 94mΩ (Typ.)
    - @VGS=-1.8V, ID=-1.0A: 130mΩ (Typ.)
    - 传输导纳 (gfs): 2.2S
    - 二极管前向电压 (VSD): -1.3V
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 350pF ~ 510pF
    - 输出电容 (Coss): 65pF ~ 95pF
    - 反向转移电容 (Crss): 50pF ~ 75pF
    - 开关特性:
    - 总栅极电荷 (Qg): 4.8nC ~ 8nC
    - 开启延迟时间 (Td(on)): 3.5ns ~ 7ns
    - 上升时间 (Tr): 12.6ns ~ 24ns
    - 关闭延迟时间 (Td(off)): 32.5ns ~ 62ns
    - 下降时间 (Tf): 8.4ns ~ 16ns

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:JSM2301SL 具有较低的栅极电荷,从而降低驱动损耗,提高整体能效。
    - 快速开关速度:具备快速开关特性,减少开关过程中的能量损耗,适合高频应用。
    - 高可靠性:能够承受高温和高压环境,确保在恶劣条件下仍能稳定工作。
    - 适合低电压应用:特别适合 1.8V 栅极驱动应用,扩大了其在低电压系统中的适用范围。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑:用于电源管理模块中的开关器件,提高系统的可靠性和效率。
    - 手持仪器:用于便携设备中的开关转换,减少功耗。
    - 开关设备:用于电力转换装置中的高效率开关器件。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑到热管理问题,确保足够的散热措施。
    - 使用过程中应注意避免静电放电,以防止损坏。
    - 由于其快速开关特性,建议使用合适的栅极电阻来优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 封装类型:SOT23-3L
    - 铅制与无铅设备:符合无铅和绿色标准。
    - 兼容性:与其他相同封装类型的 SOT23-3L 设备兼容。
    - 支持:制造商提供技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免静电放电?
    - 解决方案:在处理 MOSFET 时使用防静电手套和工具,确保工作环境的湿度适中,避免产生静电。
    2. 问题:如何提高热管理效果?
    - 解决方案:增加散热片或散热器,确保良好的空气流通,减少器件的温升。
    3. 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用场景,通过仿真计算或实验测试确定合适的栅极电阻值,以平衡开关速度和功耗。

    总结和推荐


    JSM2301SL P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 是一款高性能的开关器件,适用于多种高效率应用场合。其低栅极电荷、快速开关速度和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。经过以上详细的技术参数和使用建议分析,推荐在需要高效率、高可靠性的场合下使用此产品。

JSM2301SL参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
集电极电流 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 -
集电极截止电流 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
晶体管类型 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 SOT-23-3L

JSM2301SL厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM2301SL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JSM2301SL封装设计

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