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FDC6327C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P沟道,20V,4.2A,36mΩ@4.5V;-20V,-2.5A,83mΩ@-4.5V
供应商型号: FDC6327C TSOP-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) FDC6327C

FDC6327C概述

    # FDC6327C N+P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDC6327C 是一款先进的 N+P 通道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,旨在提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。这种互补 MOSFET 可用于形成电平转换高侧开关,广泛应用于各种电力管理和控制电路中。
    主要功能和应用领域
    - N-Channel MOSFET
    - VDS = 20V, ID = 3A
    - RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=4.5V
    - RDS(ON) < 90mΩ @ VGS=2.5V
    - P-Channel MOSFET
    - VDS = -20V, ID = -3A
    - RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V
    - RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V
    - 高功率和电流处理能力
    - 无铅产品

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 20 | -20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±12 | ±12 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 3 | -3 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 13 | -13 | A |
    | 最大功耗 | PD | 0.8 | 0.8 | W |
    | 工作结温和存储温度 | TJ,TSTG | -55到150 | -55到150 | ℃ |
    热特性
    | 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 |

    | 结温至环境热阻(注2) | RθJA | 156 | 156 | ℃/W |
    N-Channel 电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS| VGS=0V, ID=250μA | 20 | 22 | - | V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS=20V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS=±12V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th)| VDS=VGS,ID=250μA | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
    P-Channel 电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS| VGS=0V, ID=-250μA | -20 | - | - | V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS=-20V,VGS=0V | - | - | -1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS=±12V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th)| VDS=VGS,ID=-250μA | -0.4 | -0.7 | -1 | V |

    产品特点和优势


    - 出色的 RDS(ON):无论是 N-Channel 还是 P-Channel 都具有较低的导通电阻,使得该产品在电力管理应用中能够实现高效的能量转换。
    - 低栅极电荷:有助于减少驱动能耗,提高整体系统效率。
    - 高功率和电流处理能力:适合于高电流需求的应用场合。
    - 无铅产品:符合环保要求,适用于无铅焊接工艺。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电平转换高侧开关:可用于电机控制、LED驱动等需要电平转换的应用。
    - 逆变器和直流-直流转换器:利用其低 RDS(ON) 特性,可以实现高效能的能量转换。
    使用建议
    - 在设计电路时,注意考虑 MOSFET 的绝对最大额定值,避免超过其极限值以防止损坏。
    - 利用低栅极电荷特性,优化驱动电路的设计,减少能耗。
    - 在需要高电流处理能力的应用中,选择合适的工作点,确保 MOSFET 的稳定运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 封装形式:SOT-23-6L,适合表面贴装。
    - 与现有电路板的兼容性:该产品适用于 FR4 板材,易于集成到现有的电路设计中。
    厂商支持
    - JSMICRO Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中获得帮助和解决方案。

    常见问题与解决方案


    问题一:MOSFET 工作时过热
    解决方案:
    - 确保正确散热,可以使用散热片或风扇进行冷却。
    - 检查是否超过绝对最大额定值,如 VDS 和 ID。
    - 调整驱动电路,确保栅极电荷量合理。
    问题二:栅极驱动电压不足
    解决方案:
    - 检查驱动电路,确保提供足够的栅极驱动电压。
    - 适当增加驱动电阻,降低栅极电荷的影响。

    总结和推荐


    FDC6327C N+P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适合于电力管理和控制系统。其出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷使其成为高电流应用的理想选择。此外,无铅产品和全面的支持服务也增加了其市场竞争力。综上所述,我们强烈推荐此产品用于各种需要高效能能量转换和高电流处理的应用中。

FDC6327C参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 6.6A,10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 2.9nC@ 10V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 2.8A
通用封装 TSOP-6

FDC6327C厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

FDC6327C数据手册

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JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 FDC6327C FDC6327C数据手册

FDC6327C封装设计

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200+ ¥ 0.4803
300+ ¥ 0.4681
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