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JSM2301S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 5.4nC@ 4.5V 90mΩ@ 4.5V,2.8A 2.3A SOT-23
供应商型号: 26M-JSM2301S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM2301S

JSM2301S概述

    # JSM2301S P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    JSM2301S 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),适用于一般开关和低压电源电路。它具备快速开关速度和低导通电阻的特点,特别适合于需要高能效和高速开关的应用场景。
    主要功能
    - 开关速度快
    - 导通电阻低
    应用领域
    - 一般开关
    - 低压电源电路

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDS | -20 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | V |
    | 漏极电流(持续) | ID | -2.3 | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDM | -10 | A |
    | 耗散功率 | PD | 0.35 | W |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | 350 | ℃/mW |
    | 结温 | Tj | 150 | ℃ |
    | 储存温度 | Tstg | -55~150 | ℃ |
    静态电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 源极-漏极击穿电压 | VBR(DSS)| VGS=0V,ID=-250μA | -20 V |
    | 栅极开启电压 | VGS(th) | ID=-250μA, VGS=VDS | 0.4 -1 | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±8V,VDS=0V | ±100 nA |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VGS=0V, VDS=-20V -1 µA |
    | 漏极源极导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V,ID=-2.8A | 0.090 | 0.112 Ω |
    | 漏极源极导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-2.5V,ID=-2A | 0.110 | 0.142 Ω |
    | 正向跨导 | gfs | VDS=-5V,ID=-2.8A | 6.5 S |
    动态电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | VDS=-10V,VGS=0V,f=1MHz | 405 pF |
    | 输出电容 | Coss | 75 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 55
    | 开关参数(总栅极充电电荷) | QG | VDS=-6V,VGS=-4.5V,ID=-2.8A | 5.4 | 10 | nC |
    | 栅极-源极充电电荷 | QGS 0.8 nC |
    | 栅极-漏极充电电荷 | QGD 1.1 nC |
    | 开启延时 | tD(on) | VDD=-10V,ID=-1A,VGEN=-4.5V,RG=1Ω,RL=10Ω | 11 | 20 | ns |
    | 上升时间 | tR 35 | 60 | ns |
    | 关闭延时 | tD(off) 30 | 50
    | 下降延时 | tF 10 | 20 | ns |

    产品特点和优势


    特点
    1. 开关速度快,适合高频应用。
    2. 低导通电阻,提高电路能效。
    3. 较高的漏极-源极电压,增强抗冲击能力。
    优势
    - 高速响应:能够快速完成开闭操作,减少能量损耗。
    - 低功耗:低导通电阻显著降低了导通时的能量消耗。
    - 高可靠性:较高的耐压能力和宽泛的工作温度范围。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JSM2301S 在一般开关和低压电源电路中表现优异,例如开关电源、电池管理系统和电机驱动等应用中广泛使用。
    使用建议
    - 确保所有外部引脚正确连接,尤其是 VGS 和 VDS 引脚。
    - 注意散热设计,避免因过热而导致的损坏。
    - 考虑电路的整体布局和信号完整性,尤其是在高频应用场合。

    兼容性和支持


    兼容性
    JSM2301S 采用 SOT-23 封装,适用于标准的 PCB 安装。其电气特性与常见的 P 沟道 MOSFET 相似,容易与其他电子元器件集成使用。
    支持
    JSmicro Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户更好地理解和应用该产品。如有任何疑问,可联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    1. 问题:MOSFET 热量过高
    - 解决办法:检查散热措施是否到位,必要时增加散热片或改善空气流通。
    2. 问题:工作频率不稳定
    - 解决办法:重新评估电路设计,确保信号完整性和稳定性。
    3. 问题:启动电流过大
    - 解决办法:检查电源供应是否稳定,考虑使用缓冲电路来限制瞬时电流。

    总结和推荐


    综合评估
    JSM2301S P-Channel MOSFET 凭借其快速开关能力和低导通电阻,在多种应用中表现出色。其耐用性和可靠性使得它成为高压、高频应用的理想选择。
    推荐使用
    鉴于 JSM2301S 的诸多优势,我们强烈推荐在需要高效率和高速开关的低压电源电路中使用此产品。其出色的表现将为您的设计带来显著的优势。

JSM2301S参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 2.3A
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 5.4nC@ 4.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 4.5V,2.8A
FET类型 -
通用封装 SOT-23

JSM2301S厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM2301S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM2301S JSM2301S数据手册

JSM2301S封装设计

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50+ ¥ 0.0443
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