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TPM2030-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TECH PUBLIC/台舟电子
产品描述: 1.15nC@ 4.5V 200mΩ@4.5V,550mA 950mA SOT-723
供应商型号: TPM2030-3/TR SOT723
供应商: 云汉优选
标准整包数: 8000
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) TPM2030-3/TR

TPM2030-3/TR概述

    TPM2030-3 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TPM2030-3 是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))的特点。它适用于逻辑开关、接口电路和便携式电子设备的电池管理。该产品采用SOT723封装,属于表面贴装型器件,具备静电放电(ESD)保护功能,适合低逻辑电平门驱动操作。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):20 V
    - 栅源电压(VGS):±8 V
    - 连续漏电流(@25°C):0.95 A
    - 脉冲漏电流(@25°C):1.5 A
    - 二极管连续正向电流(IS):0.5 A
    - 最大结温(TJ):150 °C
    - 存储温度范围(TSTG):-55 ~ +150 °C
    - 热阻(RθJA):820 °C/W
    - 功率耗散(@25°C):150 mW
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DS):20 V
    - 栅体泄漏电流(IGS):±10 μA
    - 栅阈值电压(VGS(th)):0.45 ~ 0.65 V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):200 ~ 350 mΩ(@4.5V, ID=0.55A)
    250 ~ 420 mΩ(@2.5V, ID=0.50A)
    310 ~ 480 mΩ(@1.8V, ID=0.35A)
    - 动态特性:
    - 总栅电荷(Qg):1.15 nC(@VDS=10V, ID=0.55A, VGS=4.5V)
    - 栅源电荷(Qgs):0.15 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):0.23 nC
    - 输入电容(Ciss):50 pF(@VDS=10V, VGS=0V, f=100KHz)
    - 输出电容(Coss):13 pF
    - 反向转移电容(Crss):8 pF
    - 开启延迟时间(td(on)):22 ns
    - 开启上升时间(tr):80 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):700 ns
    - 关断下降时间(tf):380 ns

    3. 产品特点和优势


    TPM2030-3 的主要特点是其低导通电阻(RDS(on)),这使得它在电池管理和其他便携式电子设备的应用中表现出色。其低阈值电压(VGS(th))使其能够与较低逻辑电平的控制信号配合使用。此外,其ESD保护和紧凑的SOT723封装使其成为许多现代电子设计的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池管理:用于智能手机和平板电脑等便携式电子设备的电池开关和保护。
    - 逻辑开关:用于各种数字电路中的开关控制。
    - 接口电路:用于处理不同电压和电流水平之间的转换。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保散热设计良好以避免热失效。
    - 在高频应用中,考虑使用适当的栅极驱动电路以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    TPM2030-3 与大多数标准SOT723封装兼容,适用于多种电路布局。制造商提供详细的安装指南和技术支持,帮助用户快速上手。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高电流条件下工作时过热。
    - 解决方案:增加散热片或改善PCB布局以提高散热效率。

    - 问题:设备响应速度慢。
    - 解决方案:检查并优化栅极驱动电路的设计,降低寄生电容的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,TPM2030-3 N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、良好的ESD保护和适用的封装形式,在逻辑开关、电池管理和接口电路等领域有着广泛的应用前景。强烈推荐在相关应用中选用该产品。

TPM2030-3/TR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 950mA
栅极电荷 1.15nC@ 4.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@4.5V,550mA
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-723

TPM2030-3/TR数据手册

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TPM2030-3/TR封装设计

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