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IRLML6402TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TECH PUBLIC/台舟电子
产品描述: 1.7W 12V 1V 7.8nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 1Ω@10V,4A 4.1A 740pF@4V SOT-23
供应商型号: 14M-IRLML6402TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 4.1A
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 7.8nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@10V,4A
最大功率耗散 1.7W
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 740pF@4V
通道数量 -
通用封装 SOT-23

IRLML6402TRPBF数据手册

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TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) TECH PUBLIC/台舟电子 IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF数据手册

IRLML6402TRPBF封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4024
50+ ¥ 0.3787
150+ ¥ 0.338
1500+ ¥ 0.2837
3000+ ¥ 0.2462
90000+ ¥ 0.2367
库存: 7296
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.01
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