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ASDM60P12KQ-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 25nC@ 10V 62mΩ@ 10V,14A 12A TO-252
供应商型号: ASDM60P12KQ-R
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
ASDSEMI/安森德半导体 场效应管(MOSFET) ASDM60P12KQ-R

ASDM60P12KQ-R概述


    产品简介


    ASDM60P12KQ -60V P-Channel MOSFET
    ASDM60P12KQ 是一款高性能的 P-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高密度电路设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(BVDSS),适用于多种电力管理和控制应用,如负载开关和脉冲宽度调制(PWM)应用。

    技术参数


    - 主要电气参数
    - 击穿电压(BVDSS):-60V
    - 导通电阻(RDS(on))@ VGS=-10V:62mΩ(典型值)
    - 持续漏极电流(ID):-12A
    - 最大功率耗散(PD):50W
    - 极限门源电压(VGS):±20V
    - 绝对最大栅极漏电电流(IGSS):±100nA
    - 输入电容(CISS):968pF
    - 输出电容(COSS):88pF
    - 反向传输电容(CRSS):36pF
    - 操作环境
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55℃ 至 175℃

    产品特点和优势


    - 高密度单元设计:实现超低导通电阻(RDS(on)),确保高效能。
    - 全字符化雪崩电压和电流:提供可靠的过压保护和雪崩电流耐受能力。
    - 优秀的封装:有助于高效的热耗散,提高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 负载开关:用于电池管理系统和电源管理模块。
    2. PWM 应用:广泛应用于电机控制、LED 驱动等领域。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到 MOSFET 的最大功率耗散为 50W,需配置良好的散热系统以确保长期稳定运行。
    - 驱动电路设计:使用合适的门极电阻(RG)和门极驱动器,避免过高的门极电压应力。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适合所有标准的 TO-252 封装设备。
    - 技术支持:Ascend Semiconductor 提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务,帮助客户更好地利用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: MOSFET 的导通电阻(RDS(on))变化很大怎么办?
    - A: 请检查 VGS 电压是否在规定的范围内。确保门极驱动电压正确且持续,避免瞬时高压导致损坏。
    2. Q: 设备在高温环境下工作不稳定怎么办?
    - A: 确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇。同时检查电源电压和负载条件,避免过载。

    总结和推荐


    ASDM60P12KQ 是一款高性能的 P-沟道 MOSFET,具备出色的低导通电阻和高击穿电压特性,适合用于高功率管理和控制应用。结合其可靠的设计和优秀的封装,使其成为电力管理领域的理想选择。综合考虑其技术参数和实际应用场景,强烈推荐在需要高性能和高可靠性电力管理解决方案的应用中使用此产品。

ASDM60P12KQ-R参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@ 10V,14A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 25nC@ 10V
FET类型 -
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252

ASDM60P12KQ-R厂商介绍

ASDsemi公司是一家专注于半导体行业的企业,其主要产品涵盖了集成电路、分立器件、传感器等多种半导体产品。ASDsemi的产品主要分为以下几类:

1. 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、逻辑电路等,广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
2. 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等,用于电源管理、信号放大等。
3. 传感器:包括温度、压力、光敏等传感器,应用于工业自动化、汽车电子、医疗设备等。

ASDsemi的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持产品技术的领先性。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的高可靠性和稳定性。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求,建立长期合作关系。
- 供应链管理:优化供应链,降低成本,提高交货效率。

ASDsemi致力于为客户提供高质量的半导体产品和解决方案,推动电子技术的发展和应用。

ASDM60P12KQ-R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ASDSEMI/安森德半导体 场效应管(MOSFET) ASDSEMI/安森德半导体 ASDM60P12KQ-R ASDM60P12KQ-R数据手册

ASDM60P12KQ-R封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.5175
7500+ ¥ 0.495
25000+ ¥ 0.486
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起订量: 2500 增量: 2500
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