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NDC7002N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 960mW 50V 510mA TSOT-23-6
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDC7002N

NDC7002N概述

    文章标题:NDC7002N 双通道N沟道增强型场效应晶体管技术详解

    1. 产品简介


    NDC7002N 是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的双通道N沟道增强型场效应晶体管(FET)。这款器件采用了高密度DMOS工艺制造,特别适用于低电压环境下需要小电流高边开关的应用场合。产品以其超低导通电阻(RDS(ON))、高密度单元设计以及卓越的热和电性能而著称。其小型化封装设计(SUPERSOT™-6)使其成为空间受限设计的理想选择。
    主要功能和应用领域
    - 功能:用于驱动和控制电源电路中的开关功能。
    - 应用:适用于直流至直流转换器、电池充电管理、LED驱动、电机驱动及负载开关等场景。

    2. 技术参数


    以下为NDC7002N的主要技术参数表,涵盖电气特性、绝对最大额定值及工作环境等。
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) 50 V |
    | 栅源击穿电压(VGSS) 20 V |
    | 连续漏极电流(ID) 0.51 | 1.5 | A |
    | 静态导通电阻(RDS(ON)) | 1.7 | 2 | 3.5 | Ω |
    | 栅阈值电压(VGS(th)) | 1.5 | 2.2 | 2.5 | V |
    | 工作温度范围(TJ, TSTG) | -55 150 | °C |
    典型热阻:
    - 结点到外壳热阻(RθJC):60°C/W
    - 结点到环境热阻(RθJA):130°C/W
    其他支持参数:
    - 输入电容(Ciss):20 pF
    - 输出电容(Coss):13 pF
    - 反向转移电容(Crss):5 pF
    - 关断延迟时间(td(off)):11 ns
    - 开关总栅电荷(Qg):1 nC

    3. 产品特点和优势


    NDC7002N 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 低导通电阻(RDS(ON)):典型值仅为2Ω,大幅降低功耗并提高效率。
    2. 高密度设计:通过先进的DMOS工艺提升功率密度,减少封装尺寸。
    3. 卓越的热性能:采用铜基引脚框架,结合SUPERSOT™-6封装,显著改善散热能力。
    4. 快速开关性能:低电容和快速开关特性适合高频工作场景。
    5. 无铅环保设计:符合RoHS标准,绿色环保。
    这些特点使其在市场上具有很强的竞争优势,尤其适合紧凑型和高性能的电路设计需求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池管理系统(BMS):通过NDC7002N实现高效的小电流切换,用于电池保护和均衡。
    - LED驱动电路:利用其低导通电阻特性,为LED提供稳定的电流控制。
    - 电机驱动器:适用于低电压直流电机的精准控制。
    使用建议
    1. 确保栅极驱动电压(VGS)保持在4.5V以上,以保证开关性能。
    2. 设计时需考虑散热方案,尤其是高功率应用中,建议选用大铜板进行散热。
    3. 避免超过绝对最大额定值的电压或电流,否则可能导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    NDC7002N的SUPERSOT™-6封装具有广泛的兼容性,可直接替换同类产品。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和样品服务,包括在线资源和技术文档访问。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 增加PCB铜箔面积以改善散热效果 |
    | 导通电阻偏高 | 检查是否超出工作温度范围 |
    | 短时间内过流现象 | 检查外围电路设计,确保安全裕度 |

    7. 总结和推荐


    NDC7002N凭借其出色的导通电阻、快速开关性能和环保设计,在众多低压应用中表现出色。其紧凑的封装形式和卓越的热性能使其非常适合现代电路设计需求。对于追求高性能和紧凑设计的工程师来说,NDC7002N是一款值得推荐的产品。
    最终结论:推荐在需要低电压、高效率的应用场景中使用NDC7002N,特别是BMS、LED驱动和电机驱动领域。
    参考文献:
    - ON Semiconductor 官方数据手册:[NDC7002N](https://www.onsemi.com/products/discrete-semiconductors/transistors/mosfets/ndc7002n)
    - 文档编号:NDC7002N/D

NDC7002N参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
最大功率耗散 960mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 510mA
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 50V
配置 双n沟道
通用封装 TSOT-23-6
应用等级 工业级

NDC7002N厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

NDC7002N数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDC7002N NDC7002N数据手册

NDC7002N封装设计

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