处理中...

首页  >  产品百科  >  2N7002DW

2N7002DW

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200mW 20V 2V 1.7nC@ 15V 2个N沟道 60V 8Ω@10V,0.17A 300mA 50pF
供应商型号: CSCS-2N7002DW
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2N7002DW

2N7002DW概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel Enhancement Mode MOSFET(型号:2N7002DW)

    1. 产品简介


    产品类型:
    2N7002DW 是一种双 N-通道增强模式场效应晶体管(FET),专为高频开关应用设计。该器件是 MOSFET 的高性能版本,具有低导通电阻、低栅极阈值电压和快速开关速度等特点。
    主要功能:
    - 提供卓越的开关性能,适合电池供电设备及高效电源管理。
    - 支持低输入/输出漏电流,减少功耗。
    - 具备超小表面贴装封装,便于高密度集成。
    应用领域:
    - 消费电子设备(如手机、平板电脑)
    - 工业控制与自动化设备
    - 驱动器电路和逆变器设计
    - 便携式医疗设备和汽车电子系统

    2. 技术参数


    以下为关键的技术规格:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 绝对最大额定值
    | VDSS(耐压) | — | — | 60 | 78 | V |
    | ID(持续电流) | — | — | 115 | — | mA |
    | PD(总功率损耗) | TA=25°C | — | 200 | — | mW |
    | TJ, TSTG(工作温度范围) | — | -55 | — | 150 | °C |
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 电学特性
    | VGS(th)(阈值电压) | ID=250µA | 1.00 | 1.76 | 2.00 | V |
    | RDS(on)(导通电阻) | VGS=5V | — | 1.6 | 7.5 | Ω |
    | gFS(跨导) | VDS=10V, ID=0.2A | 80.0 | 356.5 | — | mS |
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 动态特性
    | Ciss(输入电容) | VDS=25V, VGS=0V | — | 37.8 | 50 | pF |
    | Coss(输出电容) | — | — | 12.4 | 25 | pF |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 低导通电阻(RDS(on)): 在典型工作条件下,导通电阻仅为 1.6Ω,显著降低功耗。
    - 快速开关速度: 转换时间为纳秒级,满足高频开关需求。
    - 微型封装(SC-88/SC70-6/SOT-363): 提供紧凑的设计灵活性。
    市场竞争力:
    - 环保设计: 无铅、无卤化物且符合 RoHS 标准,适用于绿色环保应用。
    - 高可靠性: 极端温度下依然保持稳定的性能表现,适应宽广的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在智能手机充电器中作为开关器件,提高充电效率。
    - 用于工业自动化中的电机驱动控制,实现精确的电流管理。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的 VGS 不超过 ±20V,以避免过压损坏。
    - 为了减少电磁干扰(EMI),在电路板布局时需合理分配输入/输出线路并添加滤波元件。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件可与其他主流 N-通道增强模式 MOSFET 高度兼容。
    - 支持表面贴装工艺,适用于多种 PCB 设计。
    支持信息:
    - 客户可通过 ON Semiconductor 官方网站获取详细资料和技术支持。
    - 专业团队随时准备解答有关应用设计和故障排查的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 检查电路是否满足 VGS 足够高的条件。 |
    | 温度过高 | 确认散热片安装到位,避免热积累。 |
    | 输出功率不稳定 | 验证电路连接点无虚焊或断路现象。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 2N7002DW 提供出色的开关性能和高效率,在多种应用场景中表现出色。
    - 其独特的低功耗特性和紧凑设计使其成为消费电子、工业控制等领域的重要选择。
    推荐结论:
    - 强烈推荐在需要低功耗、高速开关的应用中选用此产品。
    - 配合正确的电路设计和良好的散热管理,能够最大化发挥其性能优势。
    如有任何疑问,请联系 ON Semiconductor 官方技术支持,以获得更详细的指导和支持。

2N7002DW参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 1.7nC@ 15V
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 300mA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 200mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@10V,0.17A
应用等级 工业级
零件状态 在售

2N7002DW厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

2N7002DW数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002DW 2N7002DW数据手册

2N7002DW封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 287
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336