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NDS0610

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 360mW 20V 3.5V 1个P沟道 60V 10Ω 120mA 79pF@25V SOT-23 贴片安装
供应商型号: CSCS-NDS0610
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDS0610

NDS0610概述

    # NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 技术手册解读

    产品简介


    基本描述
    NDS0610 是一款采用Fairchild半导体公司专有高密度DMOS技术生产的P通道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode FET)。这种先进的工艺设计旨在降低导通电阻(RDS(ON)),提供可靠且坚固的性能以及快速开关能力。它适用于大多数需要高达120mA直流电流的应用场景,能够提供最大1A的输出电流。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:作为电压控制的小信号开关。
    - 应用领域:
    - 低电压应用下的高侧开关。
    - 各种便携式电子产品及需要高效能的小型电路模块。

    技术参数


    以下是NDS0610的关键技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 规格值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDSS) | -60 | V |
    | 最大栅源电压(VGSS) | ±20 | V |
    | 漏极连续电流(ID) | -0.12 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 0.36 | W |
    | 导通电阻(RDS(ON)) | 10 至 20 | Ω |
    | 阈值电压(VGS(th)) | -1.0 至 -3.5 | V |
    | 栅漏电荷(Qg) | 1.8 至 2.5 | nC |
    工作温度范围:
    - 存储温度(TA): -55°C 至 +150°C
    - 最大结温(TJ): -55°C 至 +150°C
    封装形式:SOT-23

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:
    - RDS(ON)最小值为10Ω,最大值为20Ω,能够在不同工作条件下保持较高的效率。
    2. 快速开关性能:
    - 开关时间特性优异,例如td(on)=2.5~5ns,tr=6.3~12.6ns。
    3. 高密度设计:
    - 芯片内部采用了高密度单元设计,确保了更小尺寸的同时维持优秀的性能。
    4. 适用性强:
    - 适合多种低压高侧开关场景,尤其在电池供电系统中表现出色。
    这些特点使NDS0610成为市场上极具竞争力的产品,在消费类电子、工业控制等领域具有广泛应用前景。

    应用案例和使用建议


    应用场景分析
    NDS0610非常适合于电池供电的便携式设备中作为高侧开关,如:
    - 智能手机和平板电脑中的电源管理电路。
    - 小型手持设备中的低功耗模块。
    使用建议
    1. 在设计电路时应确保VGS电压处于-10V至-4.5V范围内以获得最佳性能。
    2. 避免超过最大额定值的操作条件,特别是避免长时间超过极限工作温度。
    3. 对于高频应用,需注意驱动电路的匹配性,防止信号失真影响整体系统性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    NDS0610支持标准SOT-23封装,与现有PCB布局具有良好兼容性。同时,其较低的工作电压要求也使其易于集成到多款现有电路设计中。
    支持与维护
    Fairchild半导体提供了全面的技术文档和技术支持服务,包括但不限于在线资源、客户热线及现场技术支持团队。此外,还可以通过官方网站下载详细的设计指南和参考手册。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确认是否满足VGS电压要求;检查电路是否存在短路 |
    | 开关延迟时间过长 | 调整驱动电路参数,提高驱动强度 |
    | 热失控现象 | 添加散热措施或改善热管理设计 |

    总结和推荐


    综合评估
    NDS0610凭借其优良的性能指标、紧凑的设计和广泛的适用性,在众多竞争者中脱颖而出。无论是从可靠性还是性价比来看,它都是理想的选择。
    推荐结论
    我们强烈推荐使用NDS0610作为小型电子设备中的高侧开关元件。无论是在研发阶段还是量产过程中,这款产品都能帮助工程师实现高效、稳定的设计目标。

NDS0610参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 120mA
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 10Ω
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 360mW
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 79pF@25V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDS0610厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

NDS0610数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0610 NDS0610数据手册

NDS0610封装设计

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