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FDT3612

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3W 20V 4V 9.3nC@ 10V 2个N沟道 100V 29mΩ@ 18A,10V 6.5A 632pF
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDT3612

FDT3612概述

    # FDT3612 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDT3612 是一款专为提升直流-直流(DC/DC)转换器效率设计的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的POWERTRENCH技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度。FDT3612特别适用于同步或传统PWM控制器驱动的DC/DC转换器,同时还能显著提高整体能效。此外,其无铅封装方式符合环保要求,适用于广泛的电力管理应用。
    主要功能
    - 高效率:优化DC/DC转换器的能效。
    - 快速开关:提高工作效率。
    - 低导通电阻:RDS(ON)在典型条件下仅为120 mΩ(@ VGS = 10V)。
    - 环境友好:无铅化制造。
    应用领域
    - DC/DC 转换器
    - 电源管理
    - 通信设备
    - 计算机外设

    技术参数


    以下列出了FDT3612的关键技术规格和性能指标:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDSS) | 100 | V |
    | 导通电流(ID) | 3.7 | A |
    | 最大功耗(PD) | 3.0 | W |
    | 静态漏源导通电阻(RDS(ON)) | 120 mΩ (@ VGS = 10V) | mΩ |
    | 栅极电荷(Qg) | 14 | nC |
    | 开关延迟时间(td(on)) | 8.5 | ns |
    | 关断延迟时间(td(off)) | 23 | ns |
    | 热阻抗(RJA) | 42 | °C/W |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    FDT3612凭借以下几个关键特性脱颖而出:
    1. 高性能工艺:采用POWERTRENCH技术,实现超低导通电阻,降低功耗。
    2. 快速开关:得益于极低的栅极电荷和出色的开关速度,适合高频应用。
    3. 高可靠性:无铅封装,符合RoHS标准,确保产品在恶劣环境下也能稳定运行。
    4. 广泛适应性:支持多种电路板设计和散热方式,适合不同工业需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    FDT3612常用于高性能DC/DC转换器和电源管理系统,例如笔记本电脑适配器、服务器电源模块和通信设备中的高效供电电路。
    使用建议
    1. 散热设计:在高负载下使用时,需优化PCB布局,增加铜箔面积以提高热传导效率。
    2. 输入电容配置:为减少开关损耗,可在电路中加入小容量输入电容。
    3. 驱动电路优化:适当调整驱动电阻以确保最佳的开关时间和低导通电阻。

    兼容性和支持


    FDT3612采用标准SOT-223封装,易于安装并兼容大多数现有电路板设计。此外,ON Semiconductor提供详尽的技术文档、测试报告及专业支持服务,帮助客户解决设计和应用过程中的难题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻偏高
    解决办法:检查VGS是否达到额定值,必要时调整驱动电压。
    2. 问题:开关损耗过高
    解决办法:优化栅极驱动电路,减少开关延迟时间。
    3. 问题:高温环境下性能下降
    解决办法:增加外部散热装置,例如散热片或风扇。

    总结和推荐


    FDT3612是一款性能卓越的N沟道MOSFET,其出色的导通电阻、高速开关特性和高可靠性使其成为DC/DC转换器和电源管理系统的理想选择。尤其在需要高频、高效率的场合,FDT3612展现出明显的优势。总体而言,推荐使用FDT3612来提升设计的整体性能,同时兼顾成本效益和环境友好性。
    如果您正在寻找一款兼具高性能与实用性的MOSFET器件,FDT3612将是您的理想之选!

FDT3612参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
最大功率耗散 3W
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 632pF
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 18A,10V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 6.5A
通道数量 -
栅极电荷 9.3nC@ 10V
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDT3612厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FDT3612数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT3612 FDT3612数据手册

FDT3612封装设计

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