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FDS6990A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 330W 4V@ 250uA 75V 4.5mΩ@ 10V,75A 170A SOIC
供应商型号: CSCS-FDS6990A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS6990A

FDS6990A概述

    # FDS6990A Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS6990A 是由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor 的一部分)设计和生产的双 N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET。该器件利用先进的 PowerTrench 工艺技术,在确保极低导通电阻的同时,实现了卓越的开关性能。这些特性使其成为低电压和电池供电应用的理想选择,尤其是在需要高效功率损耗和快速开关的应用场景中。
    主要功能
    - 双 N 沟道结构
    - 逻辑电平门驱动能力
    - 极低的导通电阻(RDS(ON))
    - 高速开关性能
    应用领域
    - 移动设备
    - 通信设备
    - 电源管理
    - 工业控制
    - LED 驱动电路

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDSS) | - | 30 | - | V |
    | 栅源击穿电压(VGSS) | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏电流(ID) | - | 7.5 | - | A |
    | 脉冲漏电流(ID) | - | 20 | - | A |
    | 导通电阻(RDS(ON)) | 11 | 18 | 31 | mΩ |
    | 开关时间延迟(td(on)) | 10 | 19 | - | ns |
    | 关断时间延迟(td(off)) | 28 | 44 | - | ns |
    | 工作温度范围(TJ, TSTG) | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻抗(RθJA) | 78 | - | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高效性能:极低的 RDS(ON),典型值仅为 18 mΩ(VGS = 10 V),确保低功率损耗。
    - 高速开关:快速的开关速度(td(on) 和 td(off) 分别为 10-44 ns)适合高频应用。
    - 低栅极电荷(Qg):仅需少量电荷即可完成开关操作,降低功耗。
    - 高可靠性:采用先进工艺设计,保证长期稳定运行。
    - 广泛应用:适用于多种低电压和电池供电设备。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - LED 驱动器:FDS6990A 作为开关管用于调节 LED 亮度,实现高效能量传输。
    - 直流-直流转换器:利用其低 RDS(ON) 特性,减少转换过程中的热损失。
    - 电机驱动电路:在工业自动化设备中,该器件提供快速响应和高可靠性的开关控制。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的 PCB 布局以提高热传导效率,避免过热。
    - 负载匹配:根据实际需求合理配置输入电压和负载电流,以达到最佳性能。
    - 栅极驱动:推荐使用匹配的栅极驱动 IC 来优化开关速度和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDS6990A 的 SO-8 封装标准,易于与其他常见模块集成。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档资源和专家咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 改善散热设计,增加铜箔面积。 |
    | 开关速度不足 | 减少栅极电容,优化驱动电路。 |
    | 频率不稳定 | 检查输入信号质量和布线布局。 |

    7. 总结和推荐


    FDS6990A 是一款性能卓越的双 N 沟道逻辑电平 MOSFET,以其低导通电阻、高开关速度和强适应性在众多应用中表现优异。尽管价格可能稍高,但其高效的性能和广泛的适用性使其成为低电压和电池供电系统的首选产品。强烈推荐在需要高效能开关控制的应用中使用此产品。
    如需进一步信息,请访问 [ON Semiconductor 官方网站](https://www.onsemi.com) 或联系技术支持团队获取帮助。

FDS6990A参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 10V,75A
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 170A
最大功率耗散 330W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 75V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOIC
包装方式 散装

FDS6990A厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FDS6990A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990A FDS6990A数据手册

FDS6990A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
501+ $ 0.6864 ¥ 5.8001
1001+ $ 0.528 ¥ 4.4616
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起订量: 729 增量: 1
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