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FDC642P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200W 8V 2V@ 250uA 100V 26mΩ@ 10V,29A 55A 925pF@10V
供应商型号: CSCS-FDC642P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDC642P

FDC642P概述

    FDC642P单P沟道2.5V指定PowerTrench® MOSFET技术手册解析

    产品简介


    FDC642P是一款单P沟道MOSFET,其核心采用ON Semiconductor的PowerTrench®工艺制造,能够有效降低导通电阻(rDS(on))并保持较低的门极电荷,以实现卓越的开关性能。这种设计特别适合需要高效率和小型化的应用场合,例如负载开关、电池保护及电源管理等领域。FDC642P以其紧凑的小型封装和优越的热性能,成为电子设计工程师的理想选择。

    技术参数


    以下是FDC642P的技术规格及其关键指标:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) | -20 | -20 | -20 | V |
    | VGS(栅源电压) | ±8 | ±8 | ±8 | V |
    | ID(连续漏极电流) | -4.0 | -4.0 | -4.0 | A |
    | PD(功率耗散) | 1.6 | 0.8 | 0.8 | W |
    | TJ/TSTG(工作温度范围) | -55 | -55 | +150 | °C |
    | RθJA(结到环境热阻) | 78 | 78 | 78 | °C/W |
    | rDS(on)(导通电阻) | 45 | 65 | 100 | mΩ |
    | Qg(总门极电荷) | 11 | 16 | 16 | nC |
    其他特性:
    - 快速开关速度,支持低功耗设计;
    - 工作频率可达到MHz级;
    - 特殊封装(SuperSOT™-6),面积比标准SO-8减少72%,厚度仅为1mm;
    - 温度范围广(-55℃至+150℃),满足严苛工作环境需求。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(rDS(on)):典型值仅为65mΩ,大幅降低功耗,适用于高能效场景。
    2. 快速响应:门极电荷低至11nC,支持高频操作。
    3. 先进工艺:通过PowerTrench®技术显著提升导通效率和散热能力。
    4. 超小型化:SuperSOT™-6封装尺寸紧凑,高度仅1mm,完美适配现代微型化设计需求。
    5. 环保材料:无铅且符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    FDC642P广泛应用于消费类电子产品、汽车电子以及工业控制领域。以下是一些典型应用场景及优化建议:
    1. 负载开关:利用其高效能实现低损耗的开关动作,建议在高频率电路中选用。
    2. 电池保护:配合其优异的温度适应性,可在极端温差条件下提供可靠保护。
    3. 电源管理:低导通电阻和快速开关特性使其适合用于高效率电源转换器中。
    使用建议:
    - 在使用时确保门极驱动电压适当,避免过压对MOSFET造成损坏。
    - 考虑PCB布局对热管理和信号完整性的影响。
    - 建议结合散热片或增加铜箔面积以改善散热效果。

    兼容性和支持


    FDC642P支持与其他主流元器件无缝集成,尤其适合与标准接口设备搭配使用。此外,ON Semiconductor提供详尽的技术文档和技术支持,帮助用户快速完成开发和调试过程。如果用户遇到问题,可以联系N. American Technical Support(800-282-9855)或欧洲地区支持热线(421 33 790 2910)获取协助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致设备失效
    解决方法:增加散热措施,如安装散热片或扩大PCB铜箔面积。
    2. 问题:导通电阻偏高
    解决方法:确认门极驱动电压是否达到要求,调整驱动电路以确保正常工作。
    3. 问题:高频下开关不稳定
    解决方法:优化PCB走线设计,缩短寄生电感路径,减少电磁干扰。

    总结和推荐


    总体而言,FDC642P凭借其低导通电阻、快速开关特性和紧凑封装,展现了出色的性能和市场竞争力。对于追求高效率和小型化的电子系统设计来说,它无疑是一个理想的选择。尽管价格可能略高于普通产品,但其卓越的可靠性与稳定性足以弥补这一点。因此,强烈推荐FDC642P作为中高端应用领域的首选电子元器件。
    如需更多详细资料,请访问ON Semiconductor官网:[www.onsemi.com](http://www.onsemi.com)。

FDC642P参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250uA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 10V,29A
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 925pF@10V
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 200W
Id-连续漏极电流 55A
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

FDC642P厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FDC642P数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC642P FDC642P数据手册

FDC642P封装设计

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