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H11G1M

产品分类: 光电耦合器
产品描述: DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 6-Pin PDIP W Bag
供应商型号: CSCS-H11G1M
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 光电耦合器 H11G1M

H11G1M概述

    # 高压光电耦合器 H11G1M 和 H11G2M 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    H11G1M 和 H11G2M 是由 Semiconductor Components Industries 开发的光达林顿型光电耦合器(Optocoupler),适用于需要高电压隔离和稳定性的电子系统。这些器件由一个砷化镓红外发射二极管与一个集成基极-发射极电阻的硅达林顿连接光电晶体管组成,具有优异的高温特性。
    主要功能
    - 光电隔离:实现电气信号的隔离传输。
    - 高输入电流灵敏度:适合低输入电流的应用。
    - 超低漏电流:即使在高温环境下也能保持性能稳定。
    应用领域
    - CMOS逻辑接口
    - 电话环路检测器
    - 低压输入TTL接口
    - 电源隔离
    - 替代脉冲变压器

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的关键技术参数:
    | 参数名称 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 输入至输出测试电压(VPR) | 方法A/VIORM=1.6倍, tm=10s | 1360 Vpeak |
    | 输入至输出测试电压(VPR) | 方法B/VIORM=1.875倍, tm=1s 1594 | Vpeak |
    | 最大工作绝缘电压(VIORM) | 850 | Vpeak |
    | 最高允许过电压(VIOTM) | 6000 | Vpeak |
    | 绝缘电阻(RIO) | 温度175℃,VIO=500V | >10^9 Ω |
    | 存储温度范围(TSTG) -40 +125 | ℃ |
    | 操作温度范围(TOPR) -40 +100 | ℃ |
    | 输入电流(IF) | 直流/平均正向输入电流 10 | 60 | mA |
    | 输出功率(PS,OUTPUT) | 在25℃环境下的典型功耗 800 | mW |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高耐压性能:H11G1M最低可承受100V,H11G2M为80V,满足工业级应用需求。
    - 卓越的敏感度:在输入电流仅为1mA时,电流转移比(Collector-to-Emitter Ratio, CTR)可达500%以上。
    - 低漏电流:在80℃高温条件下,漏电流不超过100μA,保障长期运行可靠性。
    市场竞争力
    - 严格的安全认证:符合UL1577标准(4170VACRMS)及DIN-EN/IEC60747-5-5(850V绝缘电压)。
    - 广泛适应性:适用于多种复杂环境,尤其是对电磁干扰要求较高的场合。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    1. CMOS逻辑接口:利用光电隔离特性确保不同逻辑电平间的可靠通信。
    2. 电源隔离:防止高压电路对低电压控制回路造成损害。
    3. 替代脉冲变压器:在通信和测量系统中替代传统变压器,提升效率并减小体积。
    使用建议
    - 散热管理:为避免热失控,建议在高功耗下使用良好的散热设计。
    - 环境考量:特别注意极端温度(如-40℃到+100℃)下的设备运行状况。
    - 兼容性匹配:确保驱动源的电流和电压参数与H11G1M/H11G2M的需求一致。

    兼容性和支持


    兼容性
    H11G1M和H11G2M广泛兼容主流电路板设计,尤其是带有DIN EN/IEC60747-5-5安全认证的设备。此外,它们支持通过DIP和SMT封装形式灵活安装。
    厂商支持
    ON Semiconductor提供详尽的技术文档、样品请求服务及专业的技术支持团队,帮助客户快速部署和优化产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查焊接质量和输入电压稳定性 |
    | 工作温度超出范围 | 调整散热设计或更换更高耐温型号的产品 |
    | 隔离电压不达标 | 确认外部间距和绝缘材料符合规范 |

    总结和推荐


    综合评估
    H11G1M 和 H11G2M 凭借其出色的高电压隔离能力、低功耗和多功能特性,在多个领域展现出强大的竞争优势。尤其适合对信号完整性要求极高的工业和通信应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐使用H11G1M或H11G2M系列光电耦合器,特别是对于需要高可靠性、宽温操作和严格安全标准的应用。结合厂商提供的全面支持和服务,能够显著提升整体项目的成功率和稳定性。

H11G1M参数

参数
关闭时间 -
Vce-集电极-发射极饱和电压 -
最大输出电压 -
通道数 -
Vf-正向电压 -
最大输出电流 -
输出类型 -
电流传输比 -
隔离电压 -
上升时间 -
下降时间 -
输入类型 -
导通时间 -
通用封装 PDIP

H11G1M厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

H11G1M数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 光电耦合器 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR H11G1M H11G1M数据手册

H11G1M封装设计

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