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UJ3C065030K3S

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 51nC@ 15 V 441W(Tc) 1.5nF@100V 1 35mΩ@ 50A,12V 85A 650V 6V@10mA 25V,25V 独立式 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
供应商型号: 4014255
供应商: element14
标准整包数: 1
UNITED SILICON CARBIDE 碳化硅场效应管 UJ3C065030K3S

UJ3C065030K3S概述


    产品简介


    UJ3C065030K3S 是一款30mW - 650V SiC Cascode功率开关,属于第三代碳化硅(SiC)技术的高性能器件。这款电子元器件主要用于电动车辆充电、光伏逆变器、开关电源、功率因数校正模块、电机驱动以及感应加热等领域。SiC Cascode结合了SiC JFET和硅MOSFET的优点,形成了增强型功率开关,为多种电力转换应用提供了高效、可靠的解决方案。

    技术参数


    - 电压额定值
    - VDS(最大漏源电压): 650V
    - VGS(最大栅源电压): ±85V
    - 单脉冲雪崩能量: 441mJ (L=15mH, IAS=4A)
    - 最大功率耗散: 650mW @ 25°C
    - 最大工作温度: 175°C
    - 电流额定值
    - 连续漏极电流 (ID): 230A @ 25°C
    - 最大反向电流 (IS): 230A
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 30mW @ VGS=12V, ID=50A, 25°C
    - 门泄漏电流 (IGSS): ≤±20mA @ VGS=±20V
    - 门阈值电压 (VG(th)): 4V to 6V @ VDS=5V, ID=10mA
    - 总门电荷 (QG): 51nC
    - 门电容 (Ciss, Coss, Crss): 1500pF, 320pF, 2.3pF

    产品特点和优势


    - 低门电荷: 极低的门电荷使得驱动功率减小,提高了效率。
    - 出色的反向恢复特性: 优秀的反向恢复特性(Qrr),减小了开关损耗。
    - 宽工作温度范围: 能够在-55°C到175°C的范围内工作。
    - 高可靠性: 具备静电保护功能(HBM Class 2)。

    应用案例和使用建议


    在光伏逆变器和开关电源等应用中,UJ3C065030K3S展现出了卓越的性能。为了最大限度地发挥其潜力,建议采用合适的PCB布局设计以减少电路寄生效应,并在二极管模式下工作时增加外部栅极电阻,以获得最佳的反向恢复性能。

    兼容性和支持


    UJ3C065030K3S 与标准栅极驱动器兼容,这使得其易于集成到现有的系统中。制造商还提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确保最佳的反向恢复性能?
    - 解决办法: 在二极管模式下使用时,添加一个外部栅极电阻可以优化反向恢复性能。

    - 问题: 如何处理高温环境下的热管理?
    - 解决办法: 选择适当的散热方案,如使用散热片或风扇,以保持器件的工作温度低于其最大允许值。

    总结和推荐


    UJ3C065030K3S 是一款具有卓越性能和广泛适用性的SiC Cascode功率开关。其独特的技术特性和优异的应用表现使其成为电动车辆充电、光伏逆变器等高要求应用的理想选择。强烈推荐在需要高效、可靠功率转换的场合使用这款产品。

UJ3C065030K3S参数

参数
Vgs-栅源极电压 25V,25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 441W(Tc)
通道数量 1
最大功率 -
配置 独立式
击穿电压 -
Id-连续漏极电流 85A
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 51nC@ 15 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@100V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 50A,12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@10mA
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

UJ3C065030K3S厂商介绍

United Silicon Carbide(USC)是一家领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)半导体技术的研发和生产。USC的主营产品包括碳化硅基的功率器件和射频器件,这些产品广泛应用于电力电子、电动汽车、可再生能源、工业自动化和通信等领域。

碳化硅功率器件因其高效率、耐高温和耐高压的特性,在电动汽车的充电和驱动系统中尤为重要。射频器件则因其在高频应用中的性能优势,被广泛应用于5G通信基站、**系统和**通信等领域。

USC的优势在于其先进的碳化硅材料技术和制造工艺,这使得公司能够提供高性能、高可靠性的半导体产品。此外,USC还拥有强大的研发团队和专利技术,能够不断推动碳化硅技术的发展和创新。通过与全球合作伙伴的紧密合作,USC致力于为客户提供定制化的解决方案,以满足不断变化的市场需求。

UJ3C065030K3S数据手册

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UNITED SILICON CARBIDE 碳化硅场效应管 UNITED SILICON CARBIDE UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S数据手册

UJ3C065030K3S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.9295 ¥ 175.1798
10+ $ 19.2397 ¥ 161.0367
100+ $ 16.2487 ¥ 136.0018
500+ $ 14.5179 ¥ 121.5152
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