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UJ3D1220KSD

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 1.2KV 240A 0μs 200μA 10A 双 TO-247-3 通孔安装
供应商型号: DV-30151480
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
UNITED SILICON CARBIDE 整流二极管/整流桥 UJ3D1220KSD

UJ3D1220KSD概述


    产品简介


    Gen-III | 20A - 1200V SiC Schottky Diode | UJ3D1220KSD
    本产品是第三代高性能碳化硅(SiC)合并式PIN肖特基二极管(MPS)。它主要用于高频率、高效能电力系统,适用于各种功率转换应用,如电源转换器、工业电机驱动、开关模式电源供应及功率因数校正模块。该产品已通过AEC-Q101认证,具有零反向恢复电荷和高达175°C的最大结温,这使其在高温环境下仍能保持高性能运行。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电流(最大重复峰值):20A
    - 反向阻断电压:1200V
    - 最大结温:175°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 175°C
    - 电气特性
    - 反向漏电流(@1V,f=1MHz):≤ 1.6 mA
    - 二极管导通电压(@150°C):1.4V
    - 瞬态热阻抗(@D=0.5):0.64°C/W
    - 平均正向电流(@25°C):20A
    - 脉冲正向电流(@25°C,tp=10ms):67.2A
    - 最大非重复性正向浪涌电流(@25°C,tp=10ms):33.6A
    - 工作环境
    - 最大结温:175°C
    - 焊接温度(波峰焊接):260°C
    - 结壳热阻(@25°C):0.64°C/W

    产品特点和优势


    - 零反向恢复电荷:减少能耗和提高效率。
    - 高结温耐受能力:确保在高温环境下稳定运行。
    - 增强的浪涌电流能力:得益于MPS结构设计。
    - 快速切换且不依赖温度:适合高频率应用。
    - 出色的热性能:采用银烧结技术,提供优异的散热效果。
    - 100% UIS测试:确保每个产品都经过严格的质量检测。

    应用案例和使用建议


    - 工业电机驱动:适用于需要高性能和稳定性的电机控制系统。
    - 电源转换器:适合高频率电力变换器,提高系统效率。
    - 开关模式电源:利用其高效率和低损耗特性,实现高效电源转换。
    - 功率因数校正模块:可显著降低无功功率,提升系统效率。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,注意避免过热,合理布置散热片以确保良好的散热。
    - 在脉冲电流环境下使用时,需考虑瞬态热阻抗对结温的影响,避免长时间超载。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种电子元器件和设备兼容,尤其是其他SiC半导体器件。
    - 技术支持:提供详细的技术文档、设计指南和售后支持,确保用户能够充分发挥产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免过热?
    - 使用散热片或冷却系统以提高散热效果。
    - 降低电路中的功耗,减少热产生。
    2. 如何改善电路效率?
    - 选择合适的散热方案。
    - 优化电路布局,减小寄生电阻和电感。
    3. 如何进行故障诊断?
    - 使用万用表测量关键参数,如电流和电压。
    - 检查电路连接是否正确,是否存在短路或开路。

    总结和推荐


    综上所述,Gen-III | 20A - 1200V SiC Schottky Diode | UJ3D1220KSD 是一款卓越的功率半导体器件,尤其适用于高频率、高效能的应用场景。其零反向恢复电荷和高结温耐受能力使其在市场上具有强大的竞争力。我们强烈推荐此产品用于各种高要求的电力系统中,相信它将为您的项目带来显著的性能提升。

UJ3D1220KSD参数

参数
配置
If - 正向电流 10A
Ir - 反向电流 200μA
Vr-反向电压 1.2KV
反向恢复时间 0μs
正向浪涌电流 240A
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

UJ3D1220KSD厂商介绍

United Silicon Carbide(USC)是一家领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)半导体技术的研发和生产。USC的主营产品包括碳化硅基的功率器件和射频器件,这些产品广泛应用于电力电子、电动汽车、可再生能源、工业自动化和通信等领域。

碳化硅功率器件因其高效率、耐高温和耐高压的特性,在电动汽车的充电和驱动系统中尤为重要。射频器件则因其在高频应用中的性能优势,被广泛应用于5G通信基站、**系统和**通信等领域。

USC的优势在于其先进的碳化硅材料技术和制造工艺,这使得公司能够提供高性能、高可靠性的半导体产品。此外,USC还拥有强大的研发团队和专利技术,能够不断推动碳化硅技术的发展和创新。通过与全球合作伙伴的紧密合作,USC致力于为客户提供定制化的解决方案,以满足不断变化的市场需求。

UJ3D1220KSD数据手册

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UJ3D1220KSD封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3+ $ 9.8308 ¥ 83.8568
10+ $ 9.2889 ¥ 79.2339
25+ $ 8.4318 ¥ 71.9233
100+ $ 8.0033 ¥ 68.268
库存: 47
起订量: 3 增量: 1
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