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NCE70T360-VB

产品分类:
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=650V;ID =12A;RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于汽车电子系统中的电动汽车充电桩、电池管理系统和车载电源等模块,满足汽车电气系统对高电压和大电流的需求。
供应商型号: NCE70T360-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  NCE70T360-VB

NCE70T360-VB概述

    文章标题:NCE70T360 N-Channel 700V Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NCE70T360是一款N沟道700V超级结功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力。该产品专为高频开关应用设计,主要适用于服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)、工业设备(如焊接设备、感应加热装置、电机驱动器、电池充电器、可再生能源系统和光伏逆变器)等领域。
    NCE70T360采用先进的超级结技术,能够显著降低开关损耗和传导损耗,同时具有极低的门极电荷(Qg)。其超高的击穿电压(VDS = 700V)和卓越的性能表现使其成为高性能电力电子系统中的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 700 | V |
    | 栅源阈值电压(N型) | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 1μA | A |
    | 漏源导通电阻(25℃) | RDS(on) | - | 0.34 | - | Ω |
    | 最大持续漏极电流(TJ=150℃) | ID | - | 10 | - | A |
    | 最大门极电荷 | Qg | - | 48 | 96 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1640 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 80 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |
    其他关键参数包括:
    - 门极-源极电容(Qgs):11 nC
    - 门极-漏极电容(Qgd):21 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):18~36 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):48~96 ns
    此外,其绝对最大额定值还包括重复脉冲雪崩能量(EAS)286 mJ,最高功率耗散(PD)为34 W,工作温度范围为-55℃至+150℃。

    3. 产品特点和优势


    NCE70T360具备以下显著特点和优势:
    1. 低FOM值:低导通电阻×门极电荷(Ron × Qg)比,适合高效率的应用需求。
    2. 快速开关特性:极低的门极电荷(Qg),减少开关损耗,提升系统整体效率。
    3. 高可靠性:经过严格测试,能承受高达286 mJ的单脉冲雪崩能量。
    4. 广泛适用性:覆盖多种应用场景,包括高功率密度电源转换及新能源领域。
    5. 集成化设计:通过TO-220AB、TO-247AC封装形式,提供易于集成的解决方案。
    这些特点使其在市场上具有强劲的竞争优势,尤其适用于追求高效能和小型化的电力电子系统。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE70T360在多种场景中得到了广泛应用,例如:
    - 服务器和电信设备:用于电源模块,提高能效并减小体积。
    - 太阳能逆变器:适合作为关键功率半导体,支持高电压和高效率运行。
    - 工业电机控制:凭借低导通电阻和快速开关性能,适用于复杂工业环境下的变频调速系统。
    使用建议:
    1. 在高压应用中,需注意散热设计以避免过热;
    2. 电路布局时尽量减小寄生电感,确保良好的热管理和信号完整性;
    3. 结合具体应用需求合理设置驱动电压(VGS),以平衡开关速度与功耗。

    5. 兼容性和支持


    NCE70T360与常见的SMPS控制器、PFC控制器等主流IC完全兼容,支持广泛的外围元件选型。此外,VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请、技术支持热线(400-655-8788)以及在线资源库。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是几个常见的使用问题及其解决办法:
    1. 发热严重?
    确保安装良好的散热片,并检查电路板布线是否优化。
    2. 击穿电压不足?
    检查是否符合规范,确认实际工作电压不超过额定值。
    3. 开关波形失真?
    调整门极电阻(Rg)以改善驱动条件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE70T360是一款高性能的N沟道700V超级结MOSFET,集成了多项创新技术,表现出色且可靠性强。无论是在节能、高效还是紧凑型设计方面,都为现代电力电子系统带来了显著的优势。因此,我们强烈推荐该产品应用于需要高效率、低功耗以及恶劣环境下的各类工业和消费电子项目。

    联系方式:服务热线:400-655-8788
    网址:www.VBsemi.com

NCE70T360-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ(mΩ)
配置 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE70T360-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE70T360-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 NCE70T360-VB NCE70T360-VB数据手册

NCE70T360-VB封装设计

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100+ ¥ 4.2375
300+ ¥ 4.068
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