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LSC65R180GF-VB

产品分类:
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: LSC65R180GF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  LSC65R180GF-VB

LSC65R180GF-VB概述

    高质量文章:LSC65R180GF N-Channel 650V超级结MOSFET技术手册解读

    1. 产品简介


    LSC65R180GF是一款高性能N-通道650V超级结MOSFET,由VBsemi推出,广泛应用于高效率开关电源(SMPS)、通信设备、工业控制及可再生能源等领域。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),特别适用于高频应用环境。它的核心特性包括快速反向恢复时间和超低栅极电荷,显著降低了开关损耗,从而提升了整体系统效率。
    - 产品类型: N-Channel 650V超级结MOSFET
    - 主要功能: 高效开关、快速切换、低导通损耗
    - 应用领域:
    - 电信设备(如服务器和通信电源)
    - 照明设备(如HID灯和荧光灯)
    - 消费电子和计算设备(如ATX电源)
    - 工业领域(如焊接设备和电池充电器)
    - 可再生能源(如太阳能逆变器)

    2. 技术参数


    以下是LSC65R180GF的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 栅极总电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 105 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | -4 | - | pF |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 367 | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 208 | W |
    此外,其绝对最大额定值如下:
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):13A
    - 最大功率耗散:208W
    - 工作结温范围:-55°C至+150°C

    3. 产品特点和优势


    LSC65R180GF凭借以下关键特点在市场上脱颖而出:
    1. 低导通电阻和低开关损耗:RDS(on)为0.19Ω,使得器件具备出色的低功耗性能。
    2. 超低栅极电荷:Qg仅为71nC,有助于降低开关过程中的能耗。
    3. 快速恢复时间:trr为160ns,有效减少反向恢复损耗。
    4. 高可靠性:支持高达367mJ的单脉冲雪崩能量,满足工业级需求。
    5. 高温稳定性:能够在-55°C至+150°C的极端环境下稳定工作。
    这些特性使其成为高效率、高可靠性的首选器件,尤其适用于高频开关电源和通信领域的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通信电源:服务器和通信设备的DC-DC转换器,可显著提升电源效率。
    - 照明系统:在HID灯和荧光灯的驱动电路中,降低热耗并延长使用寿命。
    - 太阳能逆变器:通过减少开关损耗,提升光伏系统的能源利用率。
    使用建议
    1. 优化散热设计:由于器件功耗较高,建议使用高效散热器,并确保良好的热传导路径。
    2. 合理布线:避免寄生电感过高,特别是在高频开关应用中,以降低EMI风险。
    3. 匹配外围电路:根据具体应用需求,选择合适的栅极驱动电路和外部元件,以达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    LSC65R180GF具有广泛的兼容性,可与主流的电源管理IC无缝配合。厂商VBsemi提供了全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术培训。此外,厂商承诺所有产品符合RoHS标准和无卤素要求,符合国际环保法规。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 改善散热设计,选用更大尺寸的散热器 |
    | 导通电阻偏高 | 检查器件是否损坏或超温工作 |
    | 驱动信号不稳定 | 确保栅极驱动电路正确连接,无接触不良 |

    7. 总结和推荐


    LSC65R180GF凭借其卓越的性能、低功耗和高可靠性,在各类高频开关应用中表现出色。它适合用于对效率和稳定性要求极高的场合,例如服务器电源、LED照明和可再生能源系统。总体而言,这款MOSFET是高效率、高可靠性的优选器件,强烈推荐给需要高性能开关解决方案的设计工程师。
    最终推荐结论: 高度推荐
    联系VBsemi官方服务热线:400-655-8788,获取更多技术支持和产品资料!

LSC65R180GF-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

LSC65R180GF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LSC65R180GF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 LSC65R180GF-VB LSC65R180GF-VB数据手册

LSC65R180GF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.9836
100+ ¥ 10.17
300+ ¥ 9.7632
500+ ¥ 9.3564
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