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NCE65T180-VB

产品分类:
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: NCE65T180-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  NCE65T180-VB

NCE65T180-VB概述


    产品简介


    NCE65T180是一款高性能的N通道650V超级结功率MOSFET,专为高效率开关电源设计。 它具有极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),在多种应用中表现出色,包括通信、照明、消费类电子、工业设备及可再生能源领域。其独特的结构使其在高频开关应用中能够显著降低损耗,提高能效。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on))| 0.19 | Ω |
    | 栅极总电荷(Qg) | 106 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | 2322 | pF |
    | 最大连续漏电流(ID) | 20(TC=25°C) | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | 367 | mJ |
    | 极限工作温度范围(TJ, Tstg) | -55至+150 | °C |
    特点:
    - 超低开关损耗:得益于低Qrr和Ron x Qg指标。
    - 快速开关能力:极低的输入电容(Ciss)和有效输出电容(Co(er)、Co(tr))。
    - 高可靠性:支持重复脉冲运行,最大功率耗散达208W。
    - 高集成度:单芯片设计,易于集成到现有系统中。

    产品特点和优势


    NCE65T180具有以下显著特点和优势:
    1. 超低开关损耗:通过优化栅极电荷和反向恢复电荷,显著减少开关过程中的能量损耗。
    2. 高频率响应:支持更高的开关频率,适用于高频电源转换器设计。
    3. 增强热管理能力:结点到散热片的热阻率RthJC仅为0.5°C/W,可有效控制温升。
    4. 行业领先的应用场景:广泛应用于服务器电源、太阳能逆变器和电池充电器等高性能场合。
    其在照明、电信和工业领域的卓越表现使其成为这些领域的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电信设备:NCE65T180被广泛应用于服务器电源和电信设备,其高效的能量转换能力使其成为通信基础设施的理想选择。
    2. 太阳能光伏逆变器:其高效率和耐高温特性确保了在恶劣环境下的可靠运行。
    3. 工业焊接设备:出色的雪崩耐受能力和低导通电阻使设备能够在高电流环境下稳定工作。
    使用建议
    - 在高频开关应用中,推荐使用低电感PCB布局以减少寄生效应。
    - 根据应用场景优化栅极驱动电路设计,避免过高的VGS值导致器件损坏。
    - 在极端温度条件下运行时,务必进行热模拟以验证系统的热稳定性。

    兼容性和支持


    NCE65T180完全符合RoHS标准,并采用环保无卤化材料,适合全球范围内的绿色制造要求。制造商提供详尽的技术支持文档和样品试用服务,同时提供定制化的技术支持方案以满足特定需求。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 检查电路设计是否优化,确保热设计合理。 |
    | 栅极驱动波形失真 | 调整驱动电阻(Rg)值至推荐范围内。 |
    | 导通电阻显著增加 | 确认VGS值高于阈值电压,确保正常导通。 |

    总结和推荐


    NCE65T180以其优异的性能、广泛的适用性及良好的性价比,在高效率开关电源和高性能电子设备中展现出显著的竞争优势。它特别适合对能效和开关速度有极高要求的应用场景。强烈推荐给需要高效能功率半导体解决方案的设计工程师和技术团队。
    通过严格的工艺控制和先进的制造技术,NCE65T180确保了产品的稳定性和可靠性,是现代电力电子系统中不可或缺的核心组件。

NCE65T180-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE65T180-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE65T180-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 NCE65T180-VB NCE65T180-VB数据手册

NCE65T180-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.9836
100+ ¥ 10.17
300+ ¥ 9.7632
500+ ¥ 9.3564
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