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IRF830ASTRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M--IRF830ASTRLPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF830ASTRLPBF

IRF830ASTRLPBF概述


    产品简介


    IRF830ASTRLPBF-VB N-Channel 650V Power MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明应用(如高强度放电灯(HID)和荧光灯)。此外,它也广泛应用于工业领域。此款MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容等优点,适用于高效率电力转换系统。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 650V (在最大结温条件下)
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏电流 (ID): 10V栅压下25°C时可达25A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 30A(重复脉冲)
    - 最大功率耗散 (PD): 2.4W(在25°C时)

    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2V至4V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): 1μA (在VDS=520V时)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.77Ω(在10V栅压,8A漏电流时)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 最大为100pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大为43nC
    - 开关时间 (td(on), tr, td(off), tf): 在不同条件下的典型值分别为13ns, 11ns, 81ns, 25ns

    产品特点和优势


    IRF830ASTRLPBF-VB 的显著特点是其低栅极电荷和低输入电容。这些特点使得它能够减少开关和导通损耗,从而提高系统的整体能效。其栅极电荷仅为43nC,这在同类产品中是相当低的。此外,该MOSFET还具备重复脉冲雪崩能量评级(UIS),使其能够在极端环境下稳定工作。在高精度电力转换应用中,这些特点使该MOSFET成为优选方案。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源系统: 由于其高可靠性及高效能,这款MOSFET广泛用于电信设备中的电源系统。
    - 开关模式电源(SMPS): 这类电源系统通常要求高效和低损耗,IRF830ASTRLPBF-VB 的低导通电阻和快速开关特性非常适用。
    - 照明: 特别是在HID和荧光灯应用中,其低损耗和高能效可显著延长灯具的使用寿命并降低能耗。
    使用建议:
    - 散热设计: 要确保良好的散热效果,可以使用散热片或者散热板来辅助散热。
    - 电路布局: 在电路设计时要注意减少寄生电感,这可以通过优化PCB布局和走线来实现。
    - 负载测试: 在正式使用前进行充分的负载测试,确保其在极端条件下的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF830ASTRLPBF-VB 与标准TO-263封装兼容,因此可以方便地集成到现有的电路板中。
    - 支持和维护: 台湾VBsemi提供了详尽的技术支持文档和售后服务,包括在线技术支持和维修服务。客户可以通过官方服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何确定MOSFET的工作温度范围?
    - 解决方案: 参考数据手册,确认其工作温度范围为-55°C至+150°C。确保在设计电路时考虑到极端温度的影响。
    - 问题2: 如何测量MOSFET的导通电阻?
    - 解决方案: 使用万用表的二极管测试功能来测量,确保电压设置为10V时读数准确。

    总结和推荐


    IRF830ASTRLPBF-VB 是一款高效且稳定的N-Channel 650V功率MOSFET,适用于多种高效率电力转换应用。其低栅极电荷和低输入电容等特点使其在同类产品中脱颖而出,能够显著提高系统的整体能效。综上所述,强烈推荐这款产品用于需要高效能和高可靠性的电力转换应用。

IRF830ASTRLPBF参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF830ASTRLPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF830ASTRLPBF数据手册

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