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VBZMB10N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,10A,RDS(ON),450mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBZMB10N65S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB10N65S

VBZMB10N65S概述

    N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET — VBZMB10N65S

    1. 产品简介


    VBZMB10N65S是一款适用于多种高功率应用的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品以其出色的开关特性和低导通电阻而著称,使其成为现代电源转换系统、照明系统和工业控制领域的理想选择。主要功能包括低栅极电荷、低反向恢复时间及高雪崩耐受能力,这使其能够在严苛的工作环境中保持稳定的性能。

    2. 技术参数


    以下是VBZMB10N65S的主要技术参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):650V(最大)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.5Ω(最大)@ 25°C,VGS = 10V
    - 总栅极电荷 (Qg):38nC(最大)
    - 栅源电荷 (Qgs):4nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):4.2nC
    - 连续漏电流 (ID):10A(最大)@ TC = 25°C,VGS = 10V;6.7A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏电流 (IDM):30A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):132mJ
    - 最大功耗 (PD):83W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 输入电容 (Ciss):680pF(最大)

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗特性:通过低RDS(on)和低Qg实现低导通和开关损耗,从而提高系统效率。
    - 高可靠性:出色的雪崩耐受能力和高温度稳定性确保了长时间的可靠运行。
    - 简化设计:卓越的栅极电荷特性和输出电容使得电路设计更加简单高效。
    - 广泛适用性:适用于多种高功率应用场合,如服务器电源、电信电源、照明系统及工业设备。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适用于高密度、大功率的应用场景,确保稳定的电力供应和高效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):适用于各种类型的SMPS,减少电磁干扰并提升整体能效。
    - 功率因数校正 (PFC):用于提高系统的功率因数,降低无功功率损耗。
    - 高强光灯和荧光灯照明:提供高性能且稳定的驱动解决方案。
    使用建议:
    - 在设计过程中考虑合适的散热措施,确保MOSFET的温度不会超过最大工作温度。
    - 优化电路布局以减少寄生电感和电容的影响,提升整体性能。
    - 在高频率应用中注意MOSFET的开关损耗,必要时采用额外的缓冲电路来减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    VBZMB10N65S与其他标准电子元器件兼容,可轻松集成到现有设计中。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开机时电源输出不稳定。
    解决方案:检查输入电压和负载情况,确保符合产品要求;调整栅极电阻以优化开关性能。
    - 问题2:长时间运行后过热严重。
    解决方案:改进散热设计,确保良好的热传导和对流;使用外置散热器或风扇加强冷却效果。
    - 问题3:输出电流不稳定。
    解决方案:确认电路连接正确无误;检查负载是否匹配产品额定值;优化栅极驱动信号以稳定输出。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBZMB10N65S是一款极具竞争力的N沟道超级结功率MOSFET。其优异的电气性能和广泛的应用范围使其成为众多高功率应用的理想选择。无论是服务器电源还是工业控制系统,这款产品都能提供稳定高效的性能表现。因此,强烈推荐在相关领域内采用此产品进行设计开发。

VBZMB10N65S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZMB10N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB10N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZMB10N65S VBZMB10N65S数据手册

VBZMB10N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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