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IXFX90N20Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: IXFX90N20Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFX90N20Q-VB

IXFX90N20Q-VB概述

    # IXFX90N20Q-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFX90N20Q-VB 是一款N沟道超结MOSFET(单体),其额定电压为650V,最大连续漏极电流可达25°C时的13A。这款MOSFET广泛应用于电信电源、照明系统、消费电子、工业焊接及电池充电器等领域。此外,它还适用于太阳能光伏逆变器和开关模式电源供应器(SMPS)。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 连续漏极电流(\( TJ = 150 ^{\circ}C \)):
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 时: 13A
    - \( TC = 100^{\circ}C \) 时: 2A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 367mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 208W
    - 工作结温和存储温度范围: \(-55^{\circ}C\) 至 \(+150^{\circ}C\)
    - 漏源电压上升斜率 \( dV/dt \): 37V/ns
    - 焊接推荐(峰值温度): 300°C(持续10秒)
    额定规格(\( TJ = 25^{\circ}C \),除非另有说明)
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650V (\( V{GS} = 0V \), \( ID = 250\mu A \))
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2V - 4V (\( V{DS} = V{GS}, ID = 250\mu A \))
    - 栅源漏电流 \( I{DSS} \): 1μA (\( V{DS} = 520V, V{GS} = 0V, TJ = 125^{\circ}C \))
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.19Ω (\( V{GS} = 10V \), \( ID = 11A \))
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2322pF (\( V{GS} = 0V \), \( V{DS} = 100V \), \( f = 1MHz \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 105pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 71nC (\( V{GS} = 10V \), \( ID = 11A \), \( V{DS} = 520V \))
    - 开启延迟时间 \( td(on) \): 22ns (\( V{DD} = 520V \), \( ID = 11A \), \( V{GS} = 10V \), \( Rg = 9.1\Omega \))

    产品特点和优势


    1. 低反向恢复时间和低逆恢复电流: 由于减少了 \( Q{rr} \) 和 \( I{RRM} \),该MOSFET具有较低的反向恢复时间 \( t{rr} \) 和逆恢复电流 \( I{RRM} \),显著提高了开关性能。
    2. 低栅极电荷: 其超低的栅极电荷 \( Qg \) 减少了开关损耗,有助于提高效率。
    3. 高耐压能力: 能承受高达650V的漏源电压,确保其在高压环境下依然稳定运行。
    4. 卓越的热阻特性: 极低的热阻 \( R{thJC} \) 和 \( R{thJA} \),保证了良好的散热性能,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源: 用于服务器和电信设备的电源供应,确保高可靠性。
    - 照明系统: 在高亮度放电灯和荧光灯球泡控制中提供高效的能量转换。
    - 消费和计算设备: 如ATX电源,确保高能效和稳定性。
    - 工业应用: 如焊接设备和电池充电器,提供了可靠的电力控制。
    - 可再生能源: 在太阳能光伏逆变器中发挥重要作用,提升能源利用率。
    - 开关模式电源供应器: 在各类SMPS中提供高效且可靠的电力转换。
    使用建议
    - 在高功率应用中,选择合适的散热装置以保证良好散热,避免因过热导致失效。
    - 在电路设计中注意降低栅极驱动回路的寄生电感,以减少开关损耗。
    - 使用推荐的焊接工艺,确保可靠焊接并防止焊接过程中的损坏。

    兼容性和支持


    - 该产品与标准的TO-247AC封装兼容,便于集成到现有设计中。
    - 提供全面的技术文档和支持,包括详细的Datasheet、应用笔记和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关损耗较高,影响效率。
    - 解决方案: 调整栅极驱动电阻 \( Rg \) 以优化开启和关闭时间。
    2. 问题: 在高压应用中稳定性不佳。
    - 解决方案: 确保电路设计满足产品额定参数要求,特别是在高温环境下的使用。
    3. 问题: 电源系统中存在电磁干扰。
    - 解决方案: 使用适当的滤波器和屏蔽措施,减少电磁干扰的影响。

    总结和推荐


    IXFX90N20Q-VB 以其出色的性能和广泛的适用性,在多种应用中表现出色。其低反向恢复时间和低逆恢复电流、超低栅极电荷、以及高耐压能力使其成为电信、工业和可再生能源领域的理想选择。总体来看,这是一款值得推荐的产品,特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。

IXFX90N20Q-VB参数

参数
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFX90N20Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFX90N20Q-VB数据手册

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IXFX90N20Q-VB封装设计

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500+ ¥ 9.1693
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型号 价格(含增值税)
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