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NTP5860NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=60V;ID =270A;RDS(ON)=2.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;是一适用于高功率控制和驱动应用,包括电机驱动模块、电源转换模块、电焊设备控制模块等领域。
供应商型号: NTP5860NL-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP5860NL-VB

NTP5860NL-VB概述

    NTP5860NL N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTP5860NL 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET,其主要功能是用于电力开关应用。该器件适用于广泛的领域,包括但不限于电源管理、电机控制和工业自动化系统。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 270 A (TC = 25°C), 120 A (TC = 125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 600 A
    - 最大功率耗散 (PD): 375 W (TC = 25°C), 125 W (TC = 125°C)
    - 静态参数:
    - 击穿电压 (VDS): 60 V (ID = 250 μA)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.5 V 至 2.5 V (ID = 250 μA)
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 最大 1 μA (VDS = 60 V, TJ = 125°C)
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 120 A (VGS = 10 V, VDS ≥ 5 V)
    - 动态参数:
    - 栅电荷 (Qg): 128 nC 至 200 nC (VGS = 10 V, VDS = 30 V, ID = 80 A)
    - 输入电容 (Ciss): 12 pF 至 100 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz)
    - 热阻参数:
    - 结到环境热阻 (RthJA): 40°C/W (PCB安装)
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.4°C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 这种先进的工艺使得器件具有低导通电阻和高效率。
    - 低热阻封装: 包装设计能够有效散热,提高可靠性。
    - 100% UIS测试: 确保器件能够在短路情况下稳定运行。
    - 高温性能优异: 即使在高达175°C的温度下也能保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理: 在电源转换器中作为开关元件。
    - 电机驱动: 在电机控制器中用于驱动电动机。
    - 工业自动化: 用于需要高速开关的应用中。
    使用建议:
    - 热管理: 由于最高工作温度为175°C,需要注意良好的散热设计,以避免热损坏。
    - 驱动电路设计: 需要使用适当的栅极驱动器来实现快速开关,减少开关损耗。
    - 环境适应性: 确保工作温度在-55°C至+175°C之间。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NTP5860NL 可以与其他标准的TO-220封装产品兼容,方便替换。
    - 技术支持: VBsemi公司提供详细的技术文档和客户支持,确保用户可以顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或增加散热风扇,确保良好的散热环境。

    - 问题2: 开关频率过高导致驱动电路失效。
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计,确保其能承受高频开关的要求。使用专用的栅极驱动IC可以改善性能。
    - 问题3: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 选择散热性能更好的材料,确保在高温环境下稳定工作。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: NTP5860NL 具有优秀的耐高温性能和低导通电阻,适合多种应用。它的高可靠性和良好的热管理能力使其成为高性能电源管理和电机控制应用的理想选择。
    - 推荐: 强烈推荐NTP5860NL给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。该产品在电源管理、电机控制和工业自动化领域的应用表现出色。

NTP5860NL-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ(mΩ)
通道数量 1
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 270A
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP5860NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP5860NL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTP5860NL-VB NTP5860NL-VB数据手册

NTP5860NL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.7588
500+ ¥ 5.5284
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