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ITW15N50A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: ITW15N50A-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ITW15N50A-VB

ITW15N50A-VB概述

    ITW15N50A-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    ITW15N50A-VB 是一款高性能的 N-Channel 500V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET。这类 MOSFET 主要用于需要高效率和低损耗的应用场合,例如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关以及其他硬开关和高频电路。其设计旨在提供卓越的可靠性和坚固性,确保在严苛的工作环境中稳定运行。

    2. 技术参数


    以下是 ITW15N50A-VB 的主要技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 500 | - | V |
    | 阈值电压 | 3.0 | 5.0 | - | V |
    | 源漏电阻 | - | 0.080 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | - | 350 | - | nC |
    | 栅源电荷 | - | 85 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | - | 180 | - | nC |
    | 漏源击穿电压 | 500 | - | - | V |
    | 漏源导通电阻 | - | 0.080 | - | Ω |
    | 峰值漏极电流(脉冲)| - | 180 | - | A |
    | 连续漏极电流(25°C)| 40 | - | 25 | A |
    | 功率耗散(25°C) | - | 530 | - | W |
    | 体二极管的正向电流 | - | 47 | - | A |
    | 体二极管的反向恢复时间 | - | 620 | 940 | ns |

    3. 产品特点和优势


    ITW15N50A-VB 采用先进的超级结技术,具有以下显著特点和优势:
    - 低栅极电荷 Qg:这使得驱动要求简化,减少了系统的复杂性。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性:能够承受更高的电压和电流应力。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流特性:确保产品在各种条件下的稳定性和可靠性。
    - 低 RDS(on):有助于提高能效并减少功耗。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保且符合国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    ITW15N50A-VB 广泛应用于各种电力转换系统,如 SMPS 和 UPS。在实际使用中,应考虑以下几点:
    - 驱动电路设计:确保驱动信号满足阈值电压和栅极电荷的要求。
    - 散热管理:鉴于其较高的功率耗散,应采取有效的散热措施,避免过热损坏。
    - 负载匹配:确保在额定电流和电压范围内操作,避免过载导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    ITW15N50A-VB 与其他 N-Channel MOSFET 设备兼容,便于替换和升级现有系统。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和在线客服,帮助客户解决问题并优化应用性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: ITW15N50A-VB 是否适合在高湿度环境下使用?
    - A: 是的,只要遵循正确的防护措施并在合理温度范围内使用,它适用于大多数环境条件。

    - Q: 如何防止 ITW15N50A-VB 在高温环境下失效?
    - A: 使用良好的散热器和热管理策略,确保在规定的最大温度范围内工作。

    7. 总结和推荐


    ITW15N50A-VB 是一款高可靠性的 N-Channel 500V 超级结功率 MOSFET,适用于多种高压电力转换应用。其独特的性能使其成为高性能电源系统的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场合中使用该产品。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788。

ITW15N50A-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

ITW15N50A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ITW15N50A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ITW15N50A-VB ITW15N50A-VB数据手册

ITW15N50A-VB封装设计

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