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90N4F3-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=40V;ID =100A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 90N4F3-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 90N4F3-VB TO262

90N4F3-VB TO262概述

    90N4F3-VB TO262 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    90N4F3-VB TO262 是一款由VBsemi生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其型号为90N4F3-VB,采用TO-262封装形式。这种MOSFET适用于需要高耐温性的应用场景,如工业控制、汽车电子、电源管理等。

    2. 技术参数


    以下是90N4F3-VB TO262的技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):40 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 漏极连续电流(TJ = 175°C):110 A
    - 脉冲漏极电流(IMD):300 A
    - 重复雪崩电流(IAR):50 A
    - 雪崩能量(EAR):125 mJ
    - 最大功率耗散(TA = 25°C):3.75 W
    - 工作结温和存储温度范围(Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻参数:
    - 结到空气热阻(RthJA):40°C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC):1°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):40 V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1.0 V 至 4.0 V
    - 栅体泄漏(IGSS):± 100 nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1 μA
    - 动态参数:
    - 输入电容(CISS):32 pF
    - 输出电容(COSS):600 pF
    - 反向传输电容(CRSS):320 pF
    - 总栅极电荷(Qg):95 nC
    - 栅源电荷(Qgs):37 nC
    - 栅极电阻(Rg):1.7 Ω
    - 开启延迟时间(td(on)):20 ns 至 30 ns
    - 上升时间(tr):95 ns 至 145 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):50 ns 至 75 ns
    - 下降时间(tf):12 ns 至 20 ns

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 功率MOSFET:采用先进的沟槽式工艺,提高了开关速度和可靠性。
    - 高温特性:能够在高达175°C的结温下稳定工作,适合严苛的工作环境。
    - 高阈值电压:在高温环境下保持稳定的阈值电压,确保可靠的操作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制:可用于驱动电机、电磁阀等负载。
    - 汽车电子:可用于汽车的电源管理系统,例如电池充电和电机控制。
    - 电源管理:用于高频开关电源的设计,以实现更高的效率和更小的体积。
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意控制栅极驱动信号的电压范围,避免超过绝对最大额定值。
    - 在设计电路时,合理选择并联MOSFET的数量,以避免单个器件过载。
    - 使用过程中应注意散热问题,确保MOSFET的工作温度不超过最高额定值。

    5. 兼容性和支持


    90N4F3-VB TO262与大多数标准的PCB和焊接工艺兼容,便于集成到各种系统中。VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南、设计工具和客户技术支持热线(400-655-8788),以帮助客户更好地理解和使用这款产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:在高频开关应用中,为什么栅极驱动信号容易引起振荡?
    解决方案:增加栅极电阻(Rg)以降低驱动速度,从而减少振荡的可能性。
    问题2:在高温环境中,MOSFET的性能是否会受到影响?
    解决方案:选择具有高耐温性的MOSFET,并在设计时考虑散热措施,确保器件在正常工作范围内运行。

    7. 总结和推荐


    总结:
    90N4F3-VB TO262 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其关键优势在于耐高温特性、高阈值电压稳定性以及先进的TrenchFET®工艺。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在工业控制、汽车电子及电源管理等领域使用90N4F3-VB TO262。对于追求高可靠性、稳定性的设计工程师来说,这是一款不可多得的选择。

90N4F3-VB TO262参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
通道数量 1
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

90N4F3-VB TO262厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

90N4F3-VB TO262数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 90N4F3-VB TO262 90N4F3-VB TO262数据手册

90N4F3-VB TO262封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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