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K4073LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源开关、工业控制和汽车电子等领域的模块中。TO220F;VDS=60V;ID =210A;RDS(ON)=2.6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
供应商型号: K4073LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4073LS-VB

K4073LS-VB概述

    # K4073LS-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4073LS-VB 是一款N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),属于TrenchFET®系列产品。这款器件能够在高达175°C的结温下工作,适用于各种高温度和高压的应用环境。其主要功能是作为开关元件在电力转换和驱动系统中使用,广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。

    技术参数


    以下是K4073LS-VB的主要技术规格:
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):185 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 连续源极电流 (IS):180 A
    - 单次雪崩电流 (IAS):70 A
    - 单次雪崩能量 (EAS):125 mJ (Duty Cycle ≤ 1%)
    - 最大功耗 (TJ = 25 °C):136 W
    - 热阻 (RthJA):15 - 18 °C/W (t ≤ 10 秒)
    - 热阻 (RthJC):0.85 - 1.1 °C/W
    - 漏源导通电阻 (RDS(on))
    - VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 125 °C:0.008 Ω
    - VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 175 °C:0.010 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 15 A:0.005 Ω
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1 µA (VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C)
    - 最大结温 (TJ):-55 °C 至 175 °C

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 高结温耐受性:K4073LS-VB能够承受高达175°C的结温,使得其在高温环境下仍能保持稳定工作,特别适用于工业控制和恶劣环境下的应用。
    2. 低导通电阻:不同条件下导通电阻低至0.005 Ω,确保高效电能转换和更低的损耗。
    3. 高电流能力:支持高达200 A的脉冲漏极电流和185 A的连续漏极电流,保证了强大的电流承载能力。
    4. 高可靠性:热阻设计优异,确保在高功率运行时保持稳定,不易过热损坏。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业控制:用于工业自动化中的电机驱动,提供精确的电流控制和快速响应。
    - 电源管理:适用于开关电源、直流变换器等电源管理设备,提高转换效率。
    - 电机驱动:在电动工具和汽车电子中作为高效开关元件,提高系统的可靠性和耐用性。
    使用建议
    - 散热设计:由于K4073LS-VB在高电流和高温下具有较高的功率密度,因此必须注意良好的散热设计,以防止过热导致器件失效。
    - 应用环境:适合于高温、高湿度及强电磁干扰的环境,但在这些极端条件下需要额外防护措施。

    兼容性和支持


    K4073LS-VB采用了标准的TO-220 FULLPAK封装,可以方便地与各种印刷电路板进行焊接连接。此外,制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,包括产品规格书、应用指南和常见问题解答,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境下运行时,如何防止过热?
    - 解答:建议采用高效散热片和良好的空气流通来降低温度,或者在设计时考虑使用水冷或其他冷却方法。
    2. 问:如何确保器件的可靠性和寿命?
    - 解答:定期检测器件的工作温度和电流状态,避免长时间超负荷运行。同时,遵循正确的安装和使用方法,按照制造商的建议进行操作。
    3. 问:如何优化电源管理系统中的性能?
    - 解答:通过合理的布局和散热设计,选择合适的外围元件(如滤波电容)和优化控制算法,可以显著提高系统效率和稳定性。

    总结和推荐


    综上所述,K4073LS-VB凭借其卓越的耐高温性能、高电流承载能力和出色的导通电阻,成为一款非常适合在严苛环境中工作的高性能N沟道MOSFET。无论是工业控制还是电源管理应用,它都能提供可靠的性能和长久的使用寿命。我们强烈推荐此款产品给寻求高效、耐用解决方案的工程师和技术人员。

K4073LS-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6mΩ(mΩ)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 210A
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4073LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4073LS-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4073LS-VB K4073LS-VB数据手册

K4073LS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.2195
100+ ¥ 5.7588
500+ ¥ 5.5284
1000+ ¥ 5.2981
库存: 400000
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