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APT30M70BVR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: APT30M70BVR-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) APT30M70BVR-VB

APT30M70BVR-VB概述

    APT30M70BVR-VB N-Channel Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    APT30M70BVR-VB 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,主要用于高电压和高电流的应用场合。它具有低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),使其在开关模式电源供应(SMPS)、服务器电源、电信电源和功率因数校正(PFC)电路中表现出色。此外,它还适用于工业领域的焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源(如太阳能逆变器)等多种场景。

    2. 技术参数


    - 工作电压:最大耐压(VDS)为700V,绝对最大值为650V。
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在25°C时,VGS=10V时为0.06Ω。
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为273nC。
    - 输入电容(Ciss):典型值为5682pF。
    - 输出电容(Coss):最大值为251pF。
    - 反向传输电容(Crss):典型值为-1pF。
    - 最大脉冲漏电流(IDM):142A。
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C。
    - 热阻:最大结点到环境热阻(RthJA)为40°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):有助于减少驱动损耗,加快响应速度。
    - 低导通电阻(RDS(on)):降低导通损耗,提高能效。
    - 重复性冲击能量(EAS):可达1410mJ,确保可靠的雪崩保护。
    - 快速开关特性:有助于减小热应力,提高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    APT30M70BVR-VB 广泛应用于多种高压电源系统中,如服务器电源和电信电源。在这些应用中,它可以显著提升系统的能效和可靠性。使用建议包括:
    - 在设计电路时,确保散热良好,以防止过热。
    - 考虑选择合适的驱动器来匹配MOSFET的开关频率。
    - 在高电流和高频应用中,注意布局优化,减少寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    APT30M70BVR-VB 具有良好的兼容性,可以与其他标准电子元件无缝集成。制造商提供了详细的技术支持文档和测试报告,确保用户能够顺利进行应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热怎么办?
    - 解决方案:检查散热设计,确保散热片尺寸足够大且安装稳固。如果可能,增加风扇或水冷装置以提高散热效果。
    - 问题2:MOSFET出现异常噪声怎么办?
    - 解决方案:检查电路板布线,减少寄生电感的影响。使用短而粗的连接线,保持信号线和电源线分开,以减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    APT30M70BVR-VB是一款出色的N沟道超结功率MOSFET,具有高可靠性和高效的性能。它在多种高压和高电流应用中表现卓越,适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。综上所述,强烈推荐使用APT30M70BVR-VB。
    更多详情,请访问官网或联系我们的客服热线:400-655-8788。

APT30M70BVR-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

APT30M70BVR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

APT30M70BVR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 APT30M70BVR-VB APT30M70BVR-VB数据手册

APT30M70BVR-VB封装设计

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