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IRFBF30-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IRFBF30-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFBF30-VB

IRFBF30-VB概述

    IRFBF30-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFBF30-VB 是一款 N-通道超级结功率 MOSFET,具有 900V 的耐压能力(D-S),广泛应用于电源转换、电机驱动、光伏逆变器和其他高电压应用场合。该 MOSFET 设计紧凑且高效,能够在多种工业环境中稳定运行。

    2. 技术参数


    - 耐压能力:VDS = 900V
    - 电流特性:
    - 持续漏极电流(TC=25°C):ID = 5A
    - 持续漏极电流(TC=100°C):ID = 3.9A
    - 脉冲漏极电流(IDM):21A
    - 电阻特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V,ID = 3.7A 下,RDS(on) = 1.3Ω
    - 电容特性:
    - 输入电容(Ciss):最大值 3100pF
    - 输出电容(Coss):最大值 800pF
    - 反向传输电容(Crss):最大值 490pF
    - 动态特性:
    - 总栅极电荷(Qg):最大值 200nC
    - 栅源电荷(Qgs):最大值 24nC
    - 栅漏电荷(Qgd):最大值 110nC
    - 开关时间:
    - 开启延时时间(td(on)):典型值 19ns
    - 上升时间(tr):典型值 38ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):最大值 120ns
    - 最高结温:TJ, Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 封装:TO-220AB

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:具备快速的开关性能,适合高频应用。
    - 易于并联:可以轻松实现多个器件并联,提高系统可靠性。
    - 简单的驱动要求:不需要复杂的驱动电路,便于集成到现有系统中。
    - 重复雪崩能量:EAS = 770mJ,适合于高能量应用。
    - 符合RoHS标准:无铅且符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换:适用于高频开关电源设计,如DC-DC转换器。
    - 电机驱动:适用于驱动三相电动机,提供高效能控制。
    - 光伏逆变器:在光伏系统中用于将直流电转换为交流电。
    - 使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,确保在额定电流范围内使用,以避免过热。
    - 尽量减少寄生电感,以提高整体系统的稳定性。


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 支持多种驱动电路,并可与现有的电源设计无缝集成。
    - 支持和服务:厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决问题并优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何计算导通电阻(RDS(on))?
    - 解决方案:通过查阅数据手册中的图表,结合实际工作条件确定 RDS(on)。
    - 问题二:系统发热严重,如何解决?
    - 解决方案:优化散热设计,确保 MOSFET 工作在安全温度范围内。

    7. 总结和推荐


    IRFBF30-VB 在耐压、电流承载能力和开关速度方面表现出色,是一款高性能的 N-通道 MOSFET。它的易用性和高可靠性使其成为许多工业应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高可靠性和高效能的应用场景。
    综上所述,IRFBF30-VB 是一款技术先进、适用广泛的 MOSFET,非常适合各类工业控制系统和电力电子应用。

IRFBF30-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 900V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFBF30-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFBF30-VB数据手册

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IRFBF30-VB封装设计

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