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43NM60N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 43NM60N-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 43NM60N-VB

43NM60N-VB概述

    43NM60N-VB N-Channel 650V COMPLIANT Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    43NM60N-VB 是一款高性能的 N 沟道超级结功率 MOSFET,适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源 (SMPS)、功率因数校正 (PFC) 电源以及多种工业应用。这款 MOSFET 集成了低导通电阻(RDS(on))、超低栅极电荷(Qg)等特性,使其在高频、高效率应用中表现出色。

    技术参数


    - 主要电气参数:
    - 最大漏源电压(VDS):700 V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):25°C 下为 0.06 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 273 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):46 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):79 nC
    - 反向恢复时间(trr):25°C 下为 753 至 1506 ns (IS = 24 A)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C):TC = 25°C 时 47 A;TC = 100°C 时 30 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1410 mJ
    - 热阻参数:
    - 结至环境的最大热阻(RthJA):40°C/W
    - 结至外壳(漏极)的最大热阻(RthJC):3°C/W

    产品特点和优势


    - 低 FOM (Ron x Qg):低 RON 和低栅极电荷(Qg)使得该 MOSFET 在高频应用中具有出色的性能。
    - 低输入电容(Ciss):减少开关损耗和传导损耗。
    - 低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提高能效。
    - 雪崩耐受能力(UIS):具备较强的反向恢复能力和较高的雪崩耐受能力。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:这类应用需要高效、低损耗的电源管理,43NM60N-VB 的低栅极电荷特性有助于实现这一目标。
    - 开关模式电源(SMPS):适合高频率、高效率的开关模式电源设计,特别是在输出电流较高的场合。
    - 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统(太阳能逆变器)等,这些应用场景对可靠性要求较高,43NM60N-VB 可满足这些需求。
    使用建议:
    - 确保在 PCB 设计中减少寄生电感,使用良好的接地平面来优化散热。
    - 在应用中适当控制驱动电压,以确保开关损耗最小化。
    - 使用适当的散热措施,如安装散热片,以避免过热。

    兼容性和支持


    43NM60N-VB 采用 TO-247AC 封装,可以轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供详细的文档和支持,以帮助客户解决任何潜在问题并确保顺利集成。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高温环境下工作时,电流降低?
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,增加散热片或改善散热路径。
    - 问题 2:栅极电压过高导致失效?
    - 解决方法:确保驱动电压不超过 30V,并使用适当的驱动电路保护。

    总结和推荐


    43NM60N-VB 是一款高度可靠的 N 沟道超级结 MOSFET,适用于各种高功率应用。其卓越的性能、较低的栅极电荷和高效的热管理使其成为许多高功率系统的理想选择。强烈推荐在需要高效、低损耗电源管理和工业应用中使用此产品。

43NM60N-VB参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 47A
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

43NM60N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

43NM60N-VB数据手册

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43NM60N-VB封装设计

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