处理中...

首页  >  产品百科  >  900N20N-VB

900N20N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=200V;ID =9.3A;RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;其特性使其适用于各种电子设备和模块的驱动、开关和功率控制应用。
供应商型号: 900N20N-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 900N20N-VB

900N20N-VB概述

    # 雷神场效应管(ThunderFET®)900N20N-VB 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    900N20N-VB 是一款高性能的 N 沟道 200V MOSFET 场效应管,采用 ThunderFET® 技术制造。该产品具有卓越的开关性能和低导通电阻,适用于多种高效率应用领域。它被广泛应用于电源转换系统、同步整流、DC/DC 转换器以及升压转换器等领域。
    主要功能
    - 提供高效的电流切换能力。
    - 支持低功耗运行,优化总电荷损耗(Qg 和 Qoss)以提升效率。
    - 内置 UIS 测试和高可靠性设计,确保设备长期稳定运行。
    应用领域
    - 开关电源设计中的主侧切换。
    - 同步整流器。
    - DC/DC 转换电路。
    - 升压转换器。

    技术参数


    以下为 900N20N-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 200 | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 14.1 | 30 | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.085 | - | 0.089 | Ω |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 9.3 | 18.2 | nC |
    | 输出电容 | Coss | - | 57 | - | pF |
    其他重要参数:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C。
    - 热阻抗:最高 RthJA 为 26°C/W。
    - 最大功率耗散:57W。

    产品特点和优势


    900N20N-VB 的独特功能和优势使其在市场上极具竞争力:
    1. 高效能:优化的 Qg 和 Qoss 使能耗更低,适合高效率应用。
    2. 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试,确保场效应管在极端条件下的稳定性。
    3. 紧凑设计:采用 DFN 3x3 封装,体积小巧,便于集成到便携式设备中。
    4. 温度适应性强:支持宽温范围(-55°C 至 +150°C),可在恶劣环境中工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC/DC 转换器:900N20N-VB 可用于设计高性能的隔离型或非隔离型 DC/DC 转换器,提供稳定的电压输出。
    2. 同步整流:其低导通电阻可减少损耗,提高整体转换效率。
    3. 升压转换器:适用于电池供电设备中需要升压的应用场景。
    使用建议
    - 在设计电路时,需注意避免超过绝对最大额定值(如漏源电压 VDS ≤ 200V)。
    - 使用短门极驱动线以减少寄生电感和振铃效应。
    - 配备适当的散热措施,特别是在高电流条件下运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:900N20N-VB 与主流控制器和驱动器兼容,便于集成到现有系统中。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,包括样品请求和定制化服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极电阻值是否过低。 |
    | 温度过高 | 添加外部散热片或改进 PCB 布局。 |
    | 误触发 | 确保 VGS 设置高于阈值电压(>4V)。 |

    总结和推荐


    综合评估
    900N20N-VB MOSFET 具有卓越的性能表现和广泛的应用场景。其高效的开关性能、优异的可靠性和紧凑的设计使其成为现代电力电子系统的理想选择。
    推荐结论
    强烈推荐将 900N20N-VB 用于高效率电源转换和控制应用中。无论是在研发阶段还是批量生产中,该产品均表现出色且性价比极高。如果您正在寻找一款可靠的场效应管,不妨优先考虑这款产品!
    联系服务热线:400-655-8788 获取更多详细信息。

    注:以上内容基于所提供的数据表整理,实际应用中请参考完整版数据手册及厂家支持材料。

900N20N-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 9.3A
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
长*宽*高 5.3mm*6.2mm*1mm
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

900N20N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

900N20N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 900N20N-VB 900N20N-VB数据手册

900N20N-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 4.9667
5000+ ¥ 4.7507
库存: 400000
起订量: 10 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336