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6R199P-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: 6R199P-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R199P-VB TO247

6R199P-VB TO247概述

    N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 是一款高性能、低损耗的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种应用场景。其主要功能是作为开关器件,在电源转换、电机控制等领域发挥重要作用。产品型号为6R199P-VB,封装形式为TO-247AC。

    技术参数


    - 工作电压(VDS): 650V
    - 最大连续漏极电流(ID): 13A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 53A
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.19Ω(在VGS=10V, TC=25°C时)
    - 输入电容(Ciss): 2322pF(VDS=100V, f=1MHz)
    - 总栅极电荷(Qg): 71nC
    - 热阻(RthJA): 62°C/W(最大)

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗: 由于低的反向恢复时间和反向恢复电荷(Qrr),显著降低了开关过程中的能量损失。
    2. 高可靠性: 超级结结构提高了击穿电压,确保了在高压应用中的稳定性。
    3. 快速开关: 极低的栅极电荷(Qg)和快速的开关时间(trr),适合高频应用。
    4. 低导通电阻: 在高电流下具有出色的低导通电阻,减少功耗和发热。

    应用案例和使用建议


    - 电信设备: 用于服务器和通信电源供应系统,确保高效能和高可靠性。
    - 照明系统: 用于高强度放电灯和荧光灯驱动,实现高效的LED照明系统。
    - 消费和计算设备: 用于ATX电源供应,提高整体系统的能效。
    - 工业应用: 适用于焊接和电池充电设备,提供了可靠的电力控制解决方案。
    - 可再生能源: 在太阳能逆变器中使用,确保了电力转换效率。
    使用建议:
    - 确保合适的散热措施,以避免过热。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以保持开关频率稳定。
    - 根据具体应用需求选择合适的驱动电压,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准电源设备兼容。VBsemi提供技术支持和售后服务,帮助客户解决任何安装和使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决办法: 使用散热器或改进散热设计,降低工作温度。
    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决办法: 优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响。
    - 问题: 导通电阻不稳定。
    - 解决办法: 确保栅极驱动电压符合规定范围。

    总结和推荐


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 以其卓越的性能和广泛的应用场景脱颖而出。它特别适合于要求高可靠性和低能耗的应用场合,如电源转换和工业控制系统。总体而言,这款产品是市场上非常值得推荐的产品,无论是对于新项目还是现有系统的升级,都将是理想的选择。
    联系方式:
    服务热线: 400-655-8788
    官方网站: www.VBsemi.com

6R199P-VB TO247参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 1
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6R199P-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R199P-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R199P-VB TO247 6R199P-VB TO247数据手册

6R199P-VB TO247封装设计

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