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K2526-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K2526-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2526-01-VB

K2526-01-VB概述

    K2526-01-VB N-Channel 900V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2526-01-VB 是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,适用于多种高功率应用场合。它具有优异的动态dv/dt等级、重复雪崩额定值、隔离式中心安装孔、快速开关能力、并联简单等特性。此外,该产品符合RoHS指令2002/95/EC标准,确保在制造过程中不使用有害物质。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏源电压 (VDS): 900V
    - 额定脉冲漏极电流 (IDM): 21A
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 2.0V/ns
    - 最大耗散功率 (PD): 190W
    - 热阻抗 (RthJA): 40°C/W
    - 硬件温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 1.3Ω (VGS = 10V)
    - 输出电容 (Coss): 800pF
    - 反向传输电容 (Crss): 490pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 200nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 24nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 110nC
    - 性能参数
    - 动态dV/dt等级
    - 重复雪崩额定值
    - 快速开关能力
    - 低栅极驱动要求
    - 符合RoHS指令

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt等级: 这个特性使得MOSFET能够承受高瞬态电压,适用于高压应用。
    - 重复雪崩额定值: 具备多次过压冲击的能力,延长使用寿命。
    - 快速开关: 适用于高频应用,减少开关损耗。
    - 简单的并联能力: 易于与其他同类MOSFET并联,提高功率处理能力。
    - RoHS合规: 符合环保标准,适用于国际市场。

    应用案例和使用建议


    K2526-01-VB 在多个领域中表现出色,如电源转换器、电机驱动器、通信设备和可再生能源系统等。对于需要高可靠性和快速开关速度的应用,此产品特别适用。使用时建议:
    - 散热管理: 由于高耗散功率,需使用高效散热器以保证正常工作。
    - 保护电路: 添加保护电路以防止过电压和过电流损坏。
    - 布局设计: 减少寄生电感和泄漏电感,提高整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K2526-01-VB 可以与大多数常见的直流电源和其他电子设备兼容。
    - 技术支持: 提供详尽的技术文档和支持,可通过官方服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗过大。
    - 解决方案: 选择合适的栅极驱动电阻 (Rg),并优化电路布局以减少寄生电感。

    - 问题: 过热导致性能下降。
    - 解决方案: 使用高效散热器,并确保散热器与MOSFET之间的接触良好。

    总结和推荐


    K2526-01-VB N-Channel 900V MOSFET 是一款非常出色的器件,具有出色的动态特性和耐用性。其快速开关能力和高可靠性使其非常适合于高压和高频应用。我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效和可靠的电源管理解决方案的应用中。
    联系方式:
    - 官方网站: www.VBsemi.com
    - 服务热线: 400-655-8788

K2526-01-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 1
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2526-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2526-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2526-01-VB K2526-01-VB数据手册

K2526-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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