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VBL165R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=650V;ID =7A;RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于工业电源模块中的开关电源,提供稳定的电力输出,满足工业设备的电能需求。
供应商型号: VBL165R07S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL165R07S

VBL165R07S概述


    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) 超级结功率MOSFET是一种高性能的半导体开关器件,适用于多种电源管理和控制应用。这款MOSFET具有低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg),因此可以有效降低开关和导通损耗。其主要功能是用于调节电路中的电流和电压,以实现高效的能量转换。应用领域主要包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高亮度放电灯和荧光灯)等。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 650 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C): VGS = 10 V时为7 A,TC = 100 °C时为5.2 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 25 A
    - 最大功耗(PD): 153 W
    - 反向恢复时间(trr): 190 ns
    - 热阻(RthJA): 最大63 °C/W
    - 输入电容(Ciss): 860 pF
    - 输出电容(Coss): 25 pF
    - 有效输出电容(Co(tr)): 62 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 27 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 2.0 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 2.7 nC
    - 导通电阻(RDS(on)): VGS = 10 V时的最大值为0.7 Ω
    - 有效导通电阻温度系数(ΔRDS(on)/ΔT): 0.65 Ω/°C

    产品特点和优势


    这款N-Channel 650V MOSFET的主要优势在于其低功耗特性,通过减少开关和导通损耗来提高效率。它具有较低的输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg),这使得它能够在高速开关应用中表现优异。此外,其高反向恢复时间和低恢复电荷(Qrr)使得它在频繁切换的应用中更加可靠。在高温条件下,它仍然能够保持良好的性能,最高工作温度可达150 °C,从而适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于各种电源管理设备中,例如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)和功率因数校正电源(PFC)。对于高亮度放电灯和荧光灯照明系统,它同样表现出色。在实际应用中,为了确保最佳性能,建议使用低杂散电感和接地平面的电路布局。同时,驱动器应与测试设备相同类型,以确保一致的性能。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用D2PAK (TO-263) 封装形式,可轻松集成到现有电路设计中。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除文档。如果需要更多的技术支持,可以通过服务热线400-655-8788联系VBsemi。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查是否有短路或过载现象,必要时更换散热器 |
    | 开关频率不稳定 | 确保使用正确的栅极电阻,检查电源电压是否稳定 |
    | 温度过热 | 使用散热器或散热片以提高散热效果 |

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 650V (D-S) 超级结功率MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷以及高可靠性,在多个应用领域表现出色。其卓越的性能和广泛的适用范围使其成为电源管理和控制系统中的理想选择。我们强烈推荐这款产品给需要高效能、高可靠性的客户。
    如果您对更多详细信息或技术支持感兴趣,欢迎随时联系我们。

VBL165R07S参数

参数
通道数量 1
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL165R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL165R07S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL165R07S VBL165R07S数据手册

VBL165R07S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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