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6R280C6-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
供应商型号: 6R280C6-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R280C6-VB TO247

6R280C6-VB TO247概述

    N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一种高性能的电源管理器件,适用于多种电力应用。它采用超结结构设计,具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),从而降低开关损耗和导通损耗。这款 MOSFET 主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 700 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.23 | Ω |
    | 门极总电荷 (Qg) | 24 | nC |
    | 门极-源极电荷 (Qgs) | 6 | nC |
    | 门极-漏极电荷 (Qgd) | 11 | nC |
    | 绝对最大额定值
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 门极-源极电压 (VGS) | ±30 | V |
    | 持续漏电流 (TJ=150°C)| 10 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS)| 286 | mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | 180 | W |
    | 工作结温及存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低门槛电压 (VGS(th)):2 - 4 V,适合于低压驱动应用。
    - 高雪崩能量 (EAS):286 mJ,提高了可靠性。
    - 低栅极电荷 (Qg):24 nC,减少开关损耗。
    - 快速反向恢复时间 (trr):325 ns,减少了反向恢复损耗。
    - 集成体二极管:确保无瞬时击穿。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其高可靠性和低损耗特性,提高电源效率。
    - SMPS 和 PFC 电源:适用于高频转换,减少电磁干扰。
    - 照明:特别是 HID 和荧光灯球,适用于高效能驱动电路。
    - 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动等,保证高可靠性和长寿命。
    使用建议:
    - 在高频应用中,注意门极电荷管理和驱动电路设计,以提高系统效率。
    - 为防止过热,确保良好的散热设计。

    兼容性和支持


    该产品具有 TO247 封装,可以与多种电源管理芯片和控制 IC 配合使用。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括免费的样品和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - Q: 高频应用时,如何减少开关损耗?
    - A: 选择合适的栅极驱动电阻 (Rg),并优化门极电荷管理。
    - Q: 如何防止过热?
    - A: 使用良好的散热设计,例如安装散热片或风扇,确保符合散热要求。

    总结和推荐


    这款 N-Channel 650 V (D-S) Super Junction Power MOSFET 在众多应用场景中表现出色,具有低导通电阻、高雪崩能量和低开关损耗等显著优势。非常适合用于高效率电源管理和高可靠性的工业应用。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和采购人员。

6R280C6-VB TO247参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 15A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6R280C6-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R280C6-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R280C6-VB TO247 6R280C6-VB TO247数据手册

6R280C6-VB TO247封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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