处理中...

首页  >  产品百科  >  J610-TL-E-VB

J610-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;P沟道;VDS=-250V;ID =-6A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;特性使其在多个领域的功率控制和电源管理模块中表现出色,为各种应用提供可靠的性能和高效的能源转换。
供应商型号: J610-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J610-TL-E-VB

J610-TL-E-VB概述

    J610-TL-E Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    J610-TL-E 是一种先进的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高效能和可靠性的电子应用设计。这款MOSFET采用了先进的工艺技术,能够在高温环境下稳定工作,并具有快速开关能力和高可靠性。其主要应用于电机控制、电源转换、照明系统等领域。

    2. 技术参数


    以下是J610-TL-E 的主要技术规格:
    - 额定电压 (VDS):250V
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.0Ω @ VGS = -10V
    - 最大连续漏电流 (ID):-6.0A @ TC = 25°C, -4.0A @ TC = 100°C
    - 总栅极电荷 (Qg):38nC @ VGS = -10V
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):-16A
    - 反向恢复电压变化率 (dV/dt):-5.0V/ns
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗 (RthJA):65°C/W
    - 最大结到环境热阻 (RthJC):3.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用先进的制造工艺,提高了器件的性能和可靠性。
    - 动态dV/dt评级:具备高dV/dt动态额定值,确保在快速开关操作中保持稳定性能。
    - 全雪崩评级:完全雪崩评级确保在极端条件下器件能够安全运行。
    - 高温操作能力:可在高达150°C的工作温度下运行,适合恶劣环境。
    - 快速开关:快速开关时间减少能耗并提高效率。
    - 环保材料:无铅(Pb)选项可提供环保解决方案。

    4. 应用案例和使用建议


    J610-TL-E 可广泛应用于各类电子系统中,例如:
    - 电机驱动:在电动工具、机器人和自动化系统中提供高效电机驱动。
    - 电源管理:适用于DC-DC转换器、电池充电器等场合,提升电源转换效率。
    - LED照明:用于照明系统中,实现高效调光和调色功能。
    使用建议:
    - 确保电路设计考虑低寄生电感以降低干扰。
    - 设计合理的散热结构以避免过热。
    - 在高速开关电路中,注意反向恢复电流的影响。

    5. 兼容性和支持


    J610-TL-E 支持标准TO-252封装,便于与其他电子元件集成。制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热
    - 解决方案:检查散热设计,确保良好的热传导路径。

    - 问题2:开关损耗大
    - 解决方案:优化栅极驱动电阻以减小开关时间。

    - 问题3:输出电流不稳定
    - 解决方案:检查负载连接是否正确,并确认是否符合器件的最大电流限制。

    7. 总结和推荐


    J610-TL-E 以其卓越的性能、可靠性以及广泛的适用性,在众多应用场景中表现出色。其高功率处理能力和快速响应特性使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。推荐在高性能、高可靠性的应用中使用此款MOSFET。
    通过以上内容,我们对J610-TL-E 功率MOSFET的产品特性及其在实际应用中的表现有了全面了解。这款产品凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,在工业界和消费电子产品中都具备显著的竞争优势。

J610-TL-E-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个P沟道
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J610-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J610-TL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J610-TL-E-VB J610-TL-E-VB数据手册

J610-TL-E-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
2500+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 64.13
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504