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IRLU2908PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。一款具有高性能的单通道 N 型 MOSFET,具有 80V 的饱和漏源电压和标准的 ±20V 门源电压范围。其阈值电压为 3V,漏极-源极导通电阻在不同的门源电压下分别为 9mΩ(当 VGS=4.5V)和 6mΩ(当 VGS=10V),最大漏极电流为 75A。采用了 Trench 沟道技术,封装为 TO251。并具有较低的导通损耗,使电源模块具有高效率和可靠性。
供应商型号: IRLU2908PBF-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLU2908PBF-VB

IRLU2908PBF-VB概述

    N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    本手册介绍了型号为IRLU2908PBF的N沟道80V(D-S)MOSFET。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电源管理和电机控制应用。主要功能包括高电流处理能力和高效的开关性能。它的应用领域涵盖了初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器以及LED背光等。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):80 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:28.6 A
    - TC = 70 °C:24.9 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 μs):350 A
    - 静态门电荷 (Qg):17.1 nC(典型值)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V时:0.0064 Ω
    - VGS = 6.0 V时:0.0070 Ω
    - VGS = 4.5 V时:0.0087 Ω
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25 °C:62.5 W
    - TC = 70 °C:40 W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):在不同栅源电压下表现出极低的导通电阻,显著减少功率损耗。
    - 高电流处理能力:可承受高达350 A的脉冲电流,适合高电流应用。
    - 先进的TrenchFET®技术:提供更好的散热性能和更稳定的电气特性。
    - 宽工作温度范围:可在-55 °C至150 °C之间正常工作,适应恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 初级侧开关:可用于各种开关电源设计,如开关稳压器,提供高效能和低损耗的电力传输。
    - 同步整流:在电池充电器和DC/DC转换器中用于提高效率和降低热量。
    - LED背光:适用于电视、显示器和其他需要精确调光的应用场合。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合绝对最大额定值的要求,以避免器件损坏。
    - 在高温环境下使用时,应考虑散热措施,确保长期可靠运行。
    - 使用自动焊接工艺而非手动焊接,特别是在无引脚封装的器件上。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET采用TO-251封装,便于表面贴装,并且与标准电路板相兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够正确安装和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅源电压可能导致器件损坏。
    - 解决方案:确保栅源电压不超过±20 V。
    - 问题2:长时间过载运行导致温度过高。
    - 解决方案:使用外部散热片并优化电路设计,确保器件工作在安全温度范围内。
    - 问题3:在某些应用场景下出现不稳定现象。
    - 解决方案:详细检查应用环境和电路设计,确保符合器件的绝对最大额定值要求。

    7. 总结和推荐


    IRLU2908PBF是一款高性能的N沟道80V MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和广泛的温度范围,适用于多种电源管理及电机控制应用。其独特的TrenchFET®技术提供了出色的电气特性和可靠的性能表现。建议在需要高效能和稳定性的应用中选用此款MOSFET。如果您正在寻找一款既经济又可靠的器件,IRLU2908PBF将是一个理想的选择。

IRLU2908PBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6.4mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 75A
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLU2908PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLU2908PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLU2908PBF-VB IRLU2908PBF-VB数据手册

IRLU2908PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.6425
4000+ ¥ 3.4841
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