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34N65M5-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 34N65M5-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 34N65M5-VB TO247

34N65M5-VB TO247概述


    产品简介


    产品类型
    本文介绍的是34N65M5-VB N-Channel 650V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种MOSFET专为高可靠性需求设计,广泛应用于各种电源管理和工业控制系统中。
    主要功能
    该MOSFET具备低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),能够显著减少开关和导通损耗,从而提升效率。此外,它具有良好的雪崩耐受能力(UIS),确保在高压环境下仍能可靠工作。
    应用领域
    - 服务器和电信电源:提供高效的电源转换。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):适用于各种电源管理系统。
    - 功率因数校正电源供应器(PFC):改善能源利用效率。
    - 照明系统:包括高强度放电(HID)灯和荧光灯。
    - 工业应用:涵盖焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源系统,如太阳能光伏逆变器。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):700V(在最高结温时)
    - 静态漏源击穿电压(VDS):650V(在VGS=0V,ID=250μA条件下)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V、ID=24A条件下为0.06Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值273nC
    - 栅源电荷(Qgs):46nC
    - 栅漏电荷(Qgd):79nC
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):在TC=25°C时为47A,TC=100°C时为30A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1410mJ
    - 最高功率耗散(PD):415W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)有助于降低开关损耗。
    2. 高效能:该MOSFET能够在高温下稳定运行,且具备良好的雪崩耐受能力,提高了其可靠性。
    3. 多用途应用:在多种高要求环境中表现出色,特别是在电源管理和工业控制领域。
    4. 紧凑设计:采用TO-247AC封装,便于安装和散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET已成功应用于多种工业控制系统中,如LED驱动器、光伏逆变器和焊接机。例如,在LED驱动器中,它能够有效地将交流电转换为直流电,同时保持较高的能效和稳定性。
    使用建议
    - 注意温度管理:尽管该MOSFET具有较高的工作温度范围,但在高负载情况下仍需注意冷却。
    - 合理布局:在电路设计中考虑较低的寄生电感,这有助于提高系统的整体性能。
    - 测试和验证:确保在特定应用中进行充分的测试,以验证其性能符合预期。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET具有较强的兼容性,可以轻松集成到现有的电源和控制设备中。
    - 支持:台湾VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的文档、设计指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗高 | 检查栅极电阻(Rg),适当调整使其达到最优值。 |
    | 高温下性能不稳定 | 确保散热良好,增加散热片或优化热管理设计。 |
    | 超过最大额定值导致损坏 | 遵循数据手册中的规定,避免超过最大额定值。 |

    总结和推荐


    综上所述,34N65M5-VB N-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET。其低栅极电荷、低输入电容和出色的开关特性使其成为各种电源管理和工业应用的理想选择。鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐将其用于高要求的电源系统和控制设备中。

34N65M5-VB TO247参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 47A
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

34N65M5-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

34N65M5-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 34N65M5-VB TO247 34N65M5-VB TO247数据手册

34N65M5-VB TO247封装设计

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