处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFZ34VL-VB

IRFZ34VL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=60V;ID =60A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V; 在工业自动化领域,该产品可用于变频器、电机控制器和PLC等模块,提高系统的运行效率和精确度。
供应商型号: IRFZ34VL-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ34VL-VB

IRFZ34VL-VB概述

    IRFZ34VL-VB Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFZ34VL-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用I2PAK封装(TO-262封装)。该产品具有先进的制造工艺,适用于高频开关电源、电机驱动及负载开关等领域。它能够在宽广的工作温度范围内(-55°C至+175°C)可靠工作,特别适合恶劣的工业环境。

    2. 技术参数


    以下是IRFZ34VL-VB的关键技术规格和参数:
    - 电压参数
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{DS} \): 60V
    - 集电极-发射极连续电流 \( ID \): 50A(当\( TC = 100°C \)时)

    - 电阻参数
    - 开启电阻 \( R{DS(on)} \): 0.015Ω(\( V{GS} = 10V \))

    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3500pF(\( V{DS} = 25V \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 1300pF
    - 门极电荷 \( Qg \): 110nC

    - 耐压参数
    - 重复性脉冲峰值电流 \( I{DM} \): 290A
    - 单次脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 100mJ

    3. 产品特点和优势


    IRFZ34VL-VB的主要优势在于:
    - 高速开关能力:由于采用了先进的制造工艺,该器件具有优异的开关速度,尤其适用于高频应用。
    - 高温工作能力:最高可承受175°C的工作温度,确保在严苛环境下的稳定性。
    - 低导通电阻:较低的导通电阻可以减少功耗和发热,提高整体系统效率。
    - 强大的雪崩能量处理能力:能够承受较大的瞬态电压冲击,提高系统的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于电源转换、电机驱动及负载开关等领域。例如,在高频逆变器设计中,可以作为主开关器件来实现高效的电能转换。针对不同应用场景,以下是一些建议:
    - 高频逆变器设计:选择合适的栅极驱动电路,确保开关过程中的低损耗。
    - 电机驱动:选用适当的散热措施,确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFZ34VL-VB可与多种标准栅极驱动电路兼容。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和在线技术支持,包括应用指南和电路设计支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热
    - 解决方法:检查散热设计,增加散热片或改进冷却系统。
    - 问题2:开关速度慢
    - 解决方法:调整栅极驱动电路参数,降低寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFZ34VL-VB是一款性能优越、应用广泛的功率MOSFET。它凭借出色的电气特性和高可靠性,非常适合用于各种高频开关应用。如果您需要一个高效、稳定的电力解决方案,强烈推荐选择IRFZ34VL-VB。
    通过以上内容,您可以看到IRFZ34VL-VB在多个关键参数上的表现均十分优秀。此外,其独特的功能和优势使其在市场上具有显著的竞争优势。希望本文对您的选择有所帮助。

IRFZ34VL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFZ34VL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ34VL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFZ34VL-VB IRFZ34VL-VB数据手册

IRFZ34VL-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336