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3N80G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: 3N80G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N80G-TA3-T-VB

3N80G-TA3-T-VB概述

    # 3N80G-TA3-T-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    3N80G-TA3-T-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有高可靠性、快速开关能力和良好的并联能力,适用于各种电源管理和电机控制应用。由于其低导通电阻(RDS(on))和高动态耐受电压(dv/dt rating),3N80G-TA3-T-VB 广泛应用于工业自动化、电动车辆充电系统及太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 850 | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.7 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 310 | - | pF |
    | 门电容 | Crss | - | 190 | - | pF |
    | 门电荷 | Qg | - | 78 | - | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | 9.6 | - | nC |
    | 门漏电荷 | Qgd | - | 45 | - | nC |
    | 转换增益 | gfs | - | 2.5 | - | S |
    此外,该器件的工作环境温度范围为 -55°C 至 +150°C,峰值焊接温度可达 300°C,这使其在恶劣环境下仍能稳定工作。最大脉冲栅极驱动电压为 ±20V,最大脉冲漏电流为 16A。

    产品特点和优势


    3N80G-TA3-T-VB 的核心优势在于其快速开关能力、易于并联和简单的驱动要求。具体如下:
    - 快速开关能力:确保设备在高频应用中表现良好,减少功耗。
    - 易于并联:可以轻松实现多个器件并联以提高电流处理能力。
    - 简单的驱动要求:便于在各种应用中进行集成,降低设计复杂度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    3N80G-TA3-T-VB 可广泛应用于电源管理、电机驱动和可再生能源转换等领域。例如,在工业自动化中,该器件可用于伺服驱动器,实现高效的电力转换;在太阳能逆变器中,利用其快速开关特性提升能量转换效率。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路,以充分利用其快速开关特性。
    - 考虑散热设计,确保在高负载条件下器件能正常运行。
    - 在设计并联系统时,应注意保持各器件之间的电气平衡,以避免过载。

    兼容性和支持


    3N80G-TA3-T-VB 支持多种电路布局,包括低杂散电感和接地平面,确保其在各类应用场景中的稳定性。制造商提供全面的技术支持和服务,包括详细的文档资料、专业的技术咨询和售后维修服务,有助于客户快速掌握并有效使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 导通电阻过高 | 检查门极电压是否满足最低要求;检查电路布局是否有影响。 |
    | 开关速度慢 | 确认驱动电路配置正确;检查电路中的寄生电感和电容。 |
    | 温度异常升高 | 增加散热措施,如采用更大的散热片或优化风冷/水冷设计。 |

    总结和推荐


    综上所述,3N80G-TA3-T-VB 作为一款高性能的功率 MOSFET,具备优异的电气特性和广泛的应用范围。它不仅适用于工业自动化、电力转换和通信等领域的关键应用,还能为客户提供简便的设计和可靠的性能保障。我们强烈推荐使用此器件以实现高效、可靠且经济的电力转换解决方案。

3N80G-TA3-T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

3N80G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N80G-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N80G-TA3-T-VB 3N80G-TA3-T-VB数据手册

3N80G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
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