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J319L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。单P通道功率MOSFET,具有-200V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-2.5V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为1200mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为1000mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-5A,采用Trench技术制造。
供应商型号: J319L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J319L-VB

J319L-VB概述

    J319L P-Channel 200-V (D-S) MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    J319L 是一款由VBsemi公司生产的P沟道200V(D-S)功率MOSFET。它采用了TrenchFET®技术,具备高可靠性与优良性能。该产品广泛应用于负载开关领域,如电源管理和控制电路中。


    2. 技术参数



    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |---------------------|--------|-------|-------|-------|----|
    | 漏源击穿电压 | VDS 200 | V |
    | 漏极连续电流(25°C) | ID -5 | A |
    | 阈值电压 | VGS(th)| -1.7 -3 | V |
    | 漏源导通电阻(-10V) | RDS(on)| 1.000 Ω |
    | 漏源导通电阻(-4.5V)| RDS(on)| 1.200 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 76 115 | nC |

    此外,J319L 的绝对最大额定值如下:
    - 漏源电压 VDS: 200V
    - 栅源电压 VGS: ±20V
    - 脉冲漏极电流 IDM: -30A


    3. 产品特点和优势



    - 高可靠性:100% UIS测试确保产品的可靠性。
    - 低导通电阻:典型值为1.000Ω(VGS=-10V),有助于提高能效。
    - 高阈值电压稳定性:具有温度系数,确保在不同温度下的稳定性能。
    - 优化设计:采用TrenchFET®技术,提供更高的电流密度和更佳的热性能。


    4. 应用案例和使用建议



    J319L 主要用于负载开关领域,特别是在电源管理与控制电路中。例如,在电池充电器中,它可以作为开关器件来控制电池的充放电过程。

    使用建议:
    - 在使用过程中,确保工作温度不超过150°C,以避免过热损坏。
    - 选择合适的散热措施,以保持器件在安全的工作范围内运行。
    - 注意连接线的阻抗匹配,避免不必要的损耗。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性:该器件可直接替换市场上主流的同规格P沟道MOSFET,无需额外设计改动。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和客户支持,包括常见问题解答和技术咨询。


    6. 常见问题与解决方案



    1. 问:漏源导通电阻随温度变化较大吗?
    - 答:是的,J319L 的漏源导通电阻随温度变化存在一定的温漂现象,具体数值可参考手册中的图表。

    2. 问:如何避免栅极氧化层损伤?
    - 答:确保栅源电压VGS不超过±20V,避免长时间超过最大限制值的工作条件。


    7. 总结和推荐



    总体来看,J319L P-Channel 200-V (D-S) MOSFET 是一款非常出色的高性能功率MOSFET,尤其适用于需要高可靠性和高效率的应用场合。其低导通电阻和优异的温度稳定性使得它成为电源管理和控制电路的理想选择。因此,我们强烈推荐该产品给寻求高效、可靠的电子元器件的工程师们。

    如果您对J319L有更多疑问或需要进一步技术支持,请随时联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

J319L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J319L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J319L-VB数据手册

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J319L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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