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PSMN2R6-60PS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=60V;ID =270A;RDS(ON)=2.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;是一适用于高功率控制和驱动应用,包括电机驱动模块、电源转换模块、电焊设备控制模块等领域。
供应商型号: PSMN2R6-60PS-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PSMN2R6-60PS-VB

PSMN2R6-60PS-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60V MOSFET
    本产品是一款N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET®技术。该产品以其卓越的性能和广泛的应用领域而备受关注。它主要应用于电源管理、电机驱动、LED照明和各类消费电子设备等领域。

    技术参数


    - 额定电压:60V(D-S)
    - 最大连续漏极电流:270A
    - 栅源电压范围:±20V
    - 最高功率耗散:375W(TC=25℃)/125W(TC=125℃)
    - 结点温度范围:-55℃到+175℃
    - 热阻抗:
    - 结至环境电阻(PCB安装):40°C/W
    - 结至外壳电阻:0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. 先进的TrenchFET®技术:使得MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
    2. 低热阻封装:能够有效散热,延长产品使用寿命。
    3. 严格测试:包括100% Rg和UIS测试,确保产品质量稳定可靠。
    4. 宽广的工作温度范围:适用于各种恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例:此MOSFET广泛应用于直流转换器、电机控制电路以及电池管理系统中。例如,在电池管理系统中,它可以高效地控制电流流动,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要适当降低电流负载,以避免过热损坏。
    - 在设计电路时,确保合理的散热设计,可以考虑使用散热片或其他冷却措施。
    - 遵循制造商推荐的工作参数,避免超出最大额定值,以保证长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该MOSFET与常见的印刷电路板(如FR4材料)兼容性良好,可轻松集成到现有系统中。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括安装指南、性能曲线和故障排除指南。如有任何技术问题,可通过服务热线(400-655-8788)联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问:该MOSFET的最大脉冲电流是多少?
    - 答:单脉冲雪崩电流为75A。

    2. 问:在什么情况下会触发保护机制?
    - 答:当电流超过最大脉冲电流或工作温度超过规定范围时,内部保护机制将启动。
    3. 问:如何确定是否需要更换损坏的MOSFET?
    - 答:通过检测电路中的电压和电流情况,如果发现异常或损坏,应更换新的MOSFET。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 60V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用性,非常适合用于电源管理和电机驱动等应用领域。考虑到其强大的特性和可靠的制造工艺,我们强烈推荐在相关项目中使用此产品。

PSMN2R6-60PS-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 270A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PSMN2R6-60PS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PSMN2R6-60PS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PSMN2R6-60PS-VB PSMN2R6-60PS-VB数据手册

PSMN2R6-60PS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.2195
100+ ¥ 5.7588
500+ ¥ 5.5284
1000+ ¥ 5.2981
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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