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K3983-01S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=900V;ID =7A;RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;产品在太阳能、电动车、工业电源和高压开关电源等领域的广泛应用。
供应商型号: K3983-01S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3983-01S-VB

K3983-01S-VB概述

    # K3983-01S N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3983-01S 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,具有卓越的低导通电阻(RDS(on))和极低的栅极电荷(Qg)。该器件专为高能效设计而开发,适用于多种工业和消费类电子产品,特别是在高功率密度和高频开关的应用中表现出色。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 高雪崩耐受能力
    应用领域
    - 服务器和电信电源系统
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 工业照明(如高强度放电灯和荧光灯)

    2. 技术参数


    以下为K3983-01S的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 900 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.85 Ω |
    | 栅源电容 | Ciss 73 pF |
    | 栅漏电容 | Crss | pF |
    | 有效输出电容(能量相关)| Co(er) | pF |
    | 有效输出电容(时间相关)| Co(tr) | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 0 | nC |
    | 峰值漏极电流 | IDM | A |
    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 900V
    - 连续漏极电流(ID): 5.9A (TC=100°C)
    - 最大耗散功率(PD): 99W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)为0.85Ω,可显著降低导通损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg低至0nC,有助于减少开关损耗。
    - 高可靠性:具备重复脉冲能力,能够承受高能量浪涌。
    - 宽温度范围:可在-55°C到+150°C的环境中稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器电源中作为主控MOSFET,提升整体效率并降低热管理难度。
    - 在LED驱动器中实现高效能量转换,减少电磁干扰。
    使用建议
    - 确保电路板布局合理,减少寄生电感的影响。
    - 适当增加散热措施以防止过温保护触发。

    5. 兼容性和支持


    K3983-01S完全符合JEDEC标准封装要求,并且与大多数主流PCB制造工艺兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和服务热线400-655-8788,确保客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常高温 | 检查驱动电路是否正确配置 |
    | 输出电压不稳定 | 调整负载平衡并确认接线无误 |

    7. 总结和推荐


    K3983-01S以其出色的性能和广泛的应用场景成为现代电力电子领域的理想选择。它不仅满足了高性能需求,还在节能方面做出了贡献。我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效能和可靠性的场合。如果您正在寻找一款既能提升系统效率又能简化设计流程的产品,那么K3983-01S将是您的不二之选。

K3983-01S-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ(mΩ)
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3983-01S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3983-01S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3983-01S-VB K3983-01S-VB数据手册

K3983-01S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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