处理中...

首页  >  产品百科  >  ZVN4424ZTA-VB

ZVN4424ZTA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT89;N沟道;VDS=200V;ID =1A;RDS(ON)=1600mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;一款单N型场效应晶体管产品,适用于需要低功率和小尺寸的应用领域,包括但不限于低功率电源模块、传感器接口、医疗电子和通信设备等。
供应商型号: ZVN4424ZTA-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN4424ZTA-VB

ZVN4424ZTA-VB概述

    ZVN4424ZTA N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZVN4424ZTA 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有高动态开关速率、重复雪崩额定值和易并联等特点,使其在多种电力电子应用中表现出色。具体应用领域包括电源管理、电机驱动、开关稳压器等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):200V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \):1.0A(\( TC = 25^{\circ}C \),\( TC = 100^{\circ}C \) 时为 0.6A)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):3.7A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):50mJ
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \):0.96A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \):0.31mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \):3.1W(\( TC = 25^{\circ}C \)),2.0W(\( TA = 25^{\circ}C \))
    - 热阻率:
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \):40°C/W(板载)
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \):60°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):200V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):2.0~4.0V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):25μA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):1.6Ω(\( V{GS} = 10V \))
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \):140pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):53pF
    - 传输电容 \( C{rss} \):15pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):8.2nC

    产品特点和优势


    1. 动态 \( dv/dt \) 等级:具备高动态开关速率,适合高频应用。
    2. 重复雪崩额定值:能承受较高的雪崩电流和能量,适用于过电压保护场景。
    3. 快速开关:开关时间短,减少能量损失。
    4. 易于并联:可以方便地与其他同类 MOSFET 并联,提高电流处理能力。
    5. 简单的驱动要求:对驱动电路的要求低,便于集成。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:ZVN4424ZTA 可以用于直流-直流转换器中,其高耐压和低导通电阻有助于提高效率。
    - 电机驱动:适用于需要高电流处理能力和良好开关性能的应用。
    - 建议使用场景:
    - 在选择 MOSFET 时,确保 \( V{DS} \) 不超过 200V,且 \( ID \) 不超过 1.0A。
    - 注意散热设计,尤其是在高功率运行时,使用散热片或散热器来降低热阻。
    - 选择合适的栅极驱动电阻,确保开关时间和振铃现象最小化。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 支持标准的 SOT89 封装,适用于多种 PCB 设计。
    - 支持和维护:客户可通过服务热线 400-655-8788 联系技术支持团队,获取产品相关的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下导通电阻变大。
    - 解决方法:加强散热措施,如增加散热片或改进 PCB 布局。
    - 问题2:无法正确开关。
    - 解决方法:检查驱动电路,确保栅极电压 \( V{GS} \) 能够达到开关阈值,调整栅极驱动电阻 \( Rg \)。
    - 问题3:出现振铃现象。
    - 解决方法:优化 PCB 布局,减小寄生电感,选择低漏电感的电流互感器。

    总结和推荐


    ZVN4424ZTA N 沟道 MOSFET 具有出色的性能参数和可靠性,适用于多种电力电子应用。其高动态开关速率、重复雪崩额定值和简单驱动要求使得它成为电源管理和电机驱动应用的理想选择。综合来看,这款产品是一款值得推荐的产品。

ZVN4424ZTA-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 1A
最大功率耗散 -
通道数量 1
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
长*宽*高 4.2mm*4.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN4424ZTA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN4424ZTA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZVN4424ZTA-VB ZVN4424ZTA-VB数据手册

ZVN4424ZTA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336