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4P04L08-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-40V;ID =-110A;RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=8.28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
供应商型号: 4P04L08-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4P04L08-VB TO263

4P04L08-VB TO263概述

    # P-Channel 40-V MOSFET 4P04L08-VB TO263 技术手册

    产品简介


    4P04L08-VB 是一款采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术的 P 沟道 40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要应用于电源管理、电机控制及开关电源等领域,其高性能和可靠性使其成为电子设备中的理想选择。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | -40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (TJ=175℃) | ID | 110 | A |
    | 最大功率耗散 (TC=25℃) | PD | 375 | W |
    | 热阻 (最高至稳态) | RthJA | 8 | °C/W |
    规格
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 饱和电压 | VDS | VGS=0V,ID=-250μA | - | - | 40 | V |
    | 阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250μA | -2 | -3 | -4 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS | VDS=0V,VGS=±20V | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻 | rDS(on) | VGS=-10V,ID=-20A | - | 0.0041 | Ω |

    产品特点和优势


    4P04L08-VB MOSFET 采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有以下显著优势:
    - 低导通电阻:典型导通电阻仅为 0.0041Ω,使得其在高电流环境下具有出色的性能表现。
    - 高可靠性:绝对最大额定值涵盖广泛的电压和电流范围,确保了长期稳定可靠的工作。
    - 卓越的热性能:RthJA 和 RthJC 值低,有利于散热,提高工作稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:适合作为负载开关,调节电源输出。
    - 电机驱动:适用于需要高速开关的电机控制系统。
    - 逆变器:适合用于开关电源中作为高频开关管。
    使用建议
    - 在设计电路时,需考虑散热问题,特别是在高电流运行条件下,适当的散热措施可以延长使用寿命。
    - 根据应用场景和工作条件,合理设置栅极电压,以优化性能和效率。

    兼容性和支持


    4P04L08-VB MOSFET 支持多种标准接口,与主流的 PCB 布局兼容。厂商提供详尽的技术支持文档,包括详细的电路图和使用说明,帮助客户快速上手。

    常见问题与解决方案


    问题 1:温度过高导致性能下降
    解决方法:增加散热片或外部风扇,改善电路板的散热效果。
    问题 2:无法正常导通
    解决方法:检查电路连接是否正确,确保栅极电压满足导通要求。

    总结和推荐


    总体而言,4P04L08-VB MOSFET 凭借其低导通电阻、高可靠性及优秀的热性能,在众多应用领域表现出色。对于需要高性能 P 沟道 MOSFET 的项目,这款产品是理想的选择。强烈推荐使用 4P04L08-VB,尤其是电源管理和电机驱动系统中。

4P04L08-VB TO263参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 110A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4P04L08-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4P04L08-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4P04L08-VB TO263 4P04L08-VB TO263数据手册

4P04L08-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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