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J412-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-100V;ID =-37A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;适用于电源、电动车辆和工业控制等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
供应商型号: J412-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J412-VB TO263

J412-VB TO263概述

    J412-VB TO263 P-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    J412-VB 是一种基于 TO263 封装的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾 VBsemi 公司制造。这种类型的 MOSFET 主要用于各种高电压和功率应用,如开关电源、电机驱动器和电感式负载控制等。它的核心优势在于其高效的电流切换能力和较低的导通电阻(RDS(on))。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性:
    - VDS (漏源电压): 最大 -100V
    - VGS (栅源电压): ±20V
    - ID (连续漏极电流): 25°C 下最大 -37A
    - Qg (总栅电荷): -10V 时典型值 54nC
    - 静态参数:
    - RDS(on) (导通电阻): -10V 时典型值 0.040Ω;-4.5V 时典型值 0.050Ω
    - VGS(th) (栅源阈值电压): -1V 至 -3V
    - IDSS (零栅电压漏电流): -10V 时典型值 -1μA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): -50V 时典型值 3800pF
    - 输出电容 (Coss): 185pF
    - 反向转移电容 (Crss): 135pF
    - 热阻抗:
    - Junction-to-Ambient (结到环境): 40°C/W
    - Junction-to-Case (结到外壳): 2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    J412-VB MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 技术,能够提供低导通电阻和高电流处理能力。这使得它非常适合需要高效能和低功耗的应用场景。此外,它的绝对最大额定值也较高,可以承受较高的瞬态电压和电流冲击,从而提高了其可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    J412-VB MOSFET 可广泛应用于各种高压和大电流应用中,例如:
    - 开关电源电路
    - 马达驱动电路
    - 感性负载控制
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,确保电路能够应对 J412-VB 的最大漏源电压和最大漏极电流。
    - 在高功率应用中,应注意散热设计,以避免因温度过高导致的失效。
    - 使用 J412-VB 时,建议在高电压应用中加入适当的缓冲电路以保护 MOSFET。

    5. 兼容性和支持


    J412-VB MOSFET 与其他电子元器件兼容性良好,特别是在类似的高电压和大电流应用中。VBsemi 提供了全面的技术支持,包括详细的规格手册和技术文档,以及在线技术支持和客户服务热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何判断 J412-VB 是否工作正常?
    - 解决方案: 可通过测量其导通电阻 RDS(on) 和阈值电压 VGS(th) 来验证其性能是否符合预期。

    - 问题: 在高频开关应用中如何降低损耗?
    - 解决方案: 选择合适的驱动电阻以优化栅极充电时间,从而降低开关损耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,J412-VB TO263 MOSFET 具有出色的导通电阻、可靠的电气性能和强大的热管理能力。在适合的高压和大电流应用中,其高效和稳定的性能使其成为首选组件。因此,强烈推荐使用 J412-VB MOSFET 在相关的电路设计中,尤其是在需要高性能和可靠性的应用场合。

    以上是对 J412-VB TO263 MOSFET 的详细技术手册内容整理和总结,希望能为您的设计和选型提供帮助。

J412-VB TO263参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 37A
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J412-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J412-VB TO263数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J412-VB TO263 J412-VB TO263数据手册

J412-VB TO263封装设计

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